ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







يجب تسجيل الدخول أولا

Fabrication of Ultraviolet Detector Based on ZnO Thin Films

العنوان بلغة أخرى: تصنيع كاشف الأشعة فوق البنفسجية المعتمد على الأغشية الرقيقة لمادة أكسيد الزنك
المصدر: مجلة جامعة الحضارة للبحوث التطبيقية والإنسانية
الناشر: جامعة الحضارة
المؤلف الرئيسي: عبدالرزاق، عفيف إسماعيل (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Abdulrazzaq, Afef Ismail
المجلد/العدد: ع2
محكمة: نعم
الدولة: اليمن
التاريخ الميلادي: 2020
الشهر: ديسمبر
الصفحات: 289 - 298
رقم MD: 1317214
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: HumanIndex
مواضيع:
كلمات المؤلف المفتاحية:
ZnO Thin Film | UV Detector | RF Magnetron Sputter | Photocurrent Response
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم تصنيع كاشف الأشعة فوق البنفسجية الذي يتكون من معدن –شبه موصل- معدن من الأغشية الرقيقة لمادة أكسيد الزنك ZnO، باستخدام تقنية RF تم قياس نتائج التيار مع الجهد في الظلام والإضاءة بالأشعة فوق البنفسجية والتي لها الطول الموجي 380 نانومتر في درجة حرارة الغرفة وفي الهواء المحيط. أظهرت قياسات I-V فرقا ملحوظا بين التيار الضوئي والتيار المظلم مما يعني أنه يمكن استخدام الجهاز ككاشف ضوئي للأشعة فوق البنفسجية. أظهرت الدراسة قيم تيار ضوئي تبلغ: (1.23 × 10-4 , 1.01 × 10-4 – 7.81 × 10-5 – 6.18 × 10-5 – 3.69 × 10-5 – 8.84 × 10-6) لقيم الجهد التالية V (8, 7 – 6 – 5 – 4 – 3 – 2) على التوالي. زادت حساسية الجهاز المُصنع خطيا من 0.18 إلى A/W 2.46 عندما زادت قيمة الجهد من 2 إلى V 8. حيث أنه عند زيادة قيمة الجهد يقل عرض الطبقة التي تفصل بين المنطقة الموصلة والعازلة مما أدى إلى زيادة قيمة التيار الضوئي في الجهاز عندما كان تحت تأثير الأشعة فوق البنفسجية.