×
دليل المستخدم
Fageeha، O.، و Block، R. C. (1995). MODELING ION-TRACK STRUCTURE IN SILICON AND NUMERICAL SIMULATION OF PROTON-INDUCED UPSET IN N+P DIODES (رسالة دكتوراه غير منشورة). Rensselaer Polytechnic Institute، نيويورك. مسترجع من http://search.mandumah.com/Record/618793
Fageeha، Osama، و R. C. Block. "MODELING ION-TRACK STRUCTURE IN SILICON AND NUMERICAL SIMULATION OF PROTON-INDUCED UPSET IN N+P DIODES" رسالة دكتوراه. Rensselaer Polytechnic Institute، نيويورك، 1995. مسترجع من http://search.mandumah.com/Record/618793