A THREE-DIMENSIONAL ANALYTICAL MODEL FOR SMALL-GEOMETRY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
| المؤلف الرئيسي: | Alawi, Mohammed Jameel (Author) |
|---|---|
| مؤلفين آخرين: | Demassa, Thomas A. (Advisor) |
| التاريخ الميلادي: |
2000
|
| موقع: | تمبي |
| الصفحات: | 1 - 146 |
| رقم MD: | 620244 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | الإنجليزية |
| الدرجة العلمية: | رسالة دكتوراه |
| الجامعة: | Arizona State University |
| الكلية: | The Graduate School |
| الدولة: | الولايات المتحدة الأمريكية |
| قواعد المعلومات: | +Dissertations |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
عناصر مشابهة
-
Metal-Semiconductor-Metal (MSM) Photodetectors
بواسطة: Al Salem, Majed منشور: (1996) -
Behaviour of Diodes and Transistors from 77k to 420k
بواسطة: Felimban, Abd Alrahman Ali منشور: (1973) -
PHOTO-METAL ORGANIC VAROUR PHASE EPITAXY OF II-VI SEMICONDUCTORS
بواسطة: Al Hamidi, Khalid Abd Alaziz منشور: (1989) -
Organic thin Film Transistor on Flexible Substrate
بواسطة: Al Otaiby, Faleh منشور: (2010) -
Piezoelectric Effect in III-V Semiconductors
بواسطة: Al Zahrani, Hanan Yahya منشور: (2011)
