ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > محاكاة الحاسوب لطوبوغرافية الأ...>الوصف

محاكاة الحاسوب لطوبوغرافية الأغشية الرقيقة

العنوان بلغة أخرى: Computer simulation of topological monophase layers in thin flims
المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: علي، عبدالحليم خضير (مؤلف)
المجلد/العدد: ع5
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2016
الصفحات: 115 - 126
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 869169
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الفيزياء النووية | الفيزياء الكيميائية
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: استخدم نموذج مماثل إلى نموذج ايزنك لسبائك ثنائية التركيب AB. النموذج المستخدم شبيكة مربعة بهيأة غشاء رقيق يحتوي على 10000 ذرة ويتراوح تركيز الفراغات من 3x10-3 إلى 10-4، حيث تم غرس ذرات أحادية الطور A أو B على شكل طبقات في الغشاء الرقيق المرتب AB. ميكانكية انتشار الذرات في السبيكة أساسها الفراغات، حيث سمح للفراغات القفز إلى أقرب المواقع المجاورة للطبقات الأحادية الطور. أظهرت محاكاة الحاسوب التحولات الطورية للغشاء الرقيق مع وجود عدة ميكانيكيات تسبب الحالة الغير مرتبة وهي: عيوب نقاط الاستبدال Sustitution points defect ، تجمع من ذرات من نفس النوع clusters ، تجمع من ذرات ليست من نوع واحد segregations، المايكرودومين microdomains، الترتيب اللاطوري antiphase order ، والحدود اللاطورية antiphase boundaries. ركزت الدراسة على استقرارية الأغشية الناتجة واعتمادها على درجة الحرارة وتركيز الفراغات، أظهرت نتائج محاكاة الحاسوب تراكيب جديدة مرتبة تشكلت من تحلل الطبقات الأحادية في داخل الغشاء الرقيق الثنائي التركيب AB.

A model corresponding to Ising model for binary alloys was used, which was a square lattice in the form of a thin film, containing 10000 atoms with a concentration of vacancies (3x10-3 to 10-4), where a monophase layers from A or B atoms has been adopted in an ordered AB thin film .The dynamics of atomic diffusion depends mainly on the vacancies in the thin film. Vacancies had been allowed to jump to the nearest –neighbor sites of monophase layers. Computer simulations showed the phase transformations in thin films and the existence of several mechanisms causing disordering which are : Sustitution point defects, clusters, segregations, microdomains, antiphase order and antiphase boundary . This study focused on the stability of the resulted thin films and its dependance on the temperature and the concentrations of vacancies. The computer simulation results showed that a new ordered thin film AB.
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.