Second-Order Nonlinear Susceptibility in Ladder Plus-Y Configuration in Double Quantum Dot Structure
| العنوان بلغة أخرى: |
التاثرية اللاخطية من الرتبة الثانية في تركيب من ثنائي النقط الكمية QDs على شكل سلم زائد Y |
|---|---|
| المؤلف الرئيسي: | مزهر، حنين أكرم (مؤلف) |
| مؤلفين آخرين: | جاسم، أمين حبيب السيد (مشرف) |
| التاريخ الميلادي: |
2016
|
| موقع: | الناصرية |
| التاريخ الهجري: | 1437 |
| الصفحات: | 1 - 100 |
| رقم MD: | 1009377 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | الإنجليزية |
| الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
| الجامعة: | جامعة ذي قار |
| الكلية: | كلية العلوم |
| الدولة: | العراق |
| قواعد المعلومات: | Dissertations |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
عدد مرات التحميل
10
| المستخلص: |
تمثل التأثرية اللاخطية من الرتبة الثانية واحدة من أكثر العمليات اللاخطية الأساسية وأوطأ العمليات اللاخطية رتبة. في هذه الأطروحة تم حساب اللاخطية من الرتبة الثانية عدديا في تركيب من ثنائي النقط الكمية QDs على شكل سلم زائدا Y (ladder plus Y) تحت تأثير المجال الكهربائي وقد استخدم هذا التركيب لتحسين اللاخطية. في الفصل الثاني تم حساب عناصر مصفوفة الزخم في تركيب ثنائي النقط الكمية وبأخذ مساهمة الطبقة الرطبة WL بنظر الاعتبار. تم حساب العزم للانتقالات WL-WL, WL- QD و QD-QD تحت تأثير المجال الكهربائي. لوحظ أن العناصر القطرية لمصفوفة الزخم تزداد قيمتها إبتداءا من المستوي (4| إلى 0|). كذلك لوحظ أن الزخم يزداد مع زيادة نصف قطر النقط الكمية وارتفاع المجال الكهربائي باستثناء بعض الانتقالات في النقط الكمية التي تعكس تأثير مستويات الطاقة الثانوية الوسطية. لحل مشكلتنا تم بناء حزمة برمجية متضمنة تأثير المجال الكهربائي. في الفصل الثالث استخدمت نظرية مصفوفة الكثافة لكتابة المعادلات الحركية من الرتبتين الأولى والثانية للنظام والتي استخدمت بعد ذلك للحصول على علاقات اللاخطية من الرتبة الثانية. كذلك تمت مناقشة النتائج للعمليات اللاخطية من الرتبة الثانية والتي تشمل الجيل التوافق الثاني، جمع التردد، فرق التردد، ومضاعفة التردد. وقد أظهرت النتائج إنه عند استخدام سبعة مجالات بصرية تم الحصول على تأثرية لاخطية عالية من الرتبة الثانية بطول موجي عند مدى الملمتر لطيفي التشتت والامتصاص وهو أمر مهم في التطبيقات الطبية والبيولوجية. التأثرية اللاخطية من الرتبة الثانية تزداد بنفس زيادة μ12. عند زيادة المجال الكهربائي تظهر على الجيل التوافقي الثاني إمكانية توليد ضوء متسارع أو ضوء متباطئ وانتشار بلا تشتت والتي تعتبر مهمة في التطبيقات البصرية. عندما يهمل تأثير الطبقة الرطبة نلاحظ أن التأثرية اللاخطية تزداد ثلاث مراتب مقارنة مع وجودها. في الفصل الرابع ناقشنا تأثير اختلاف حجم النقط الكمية على التأثرية اللاخطية من الرتبة الثانية حيث تم الحصول على أعلى وأقل قيم للتأثرية اللاخطية من الرتبة الثانية وبمدى من الأطوال الموجية من القصير إلى الملمتر وهذا يعكس إمكانية استخدامها في التطبيقات المختلفة. |
|---|
عناصر مشابهة
-
All-Optical Processes in Double Quantum Dot Structure
بواسطة: حسين، اكتفاء رحمن منشور: (2016) -
Optical Stability in Double Quantum Dot Structures
بواسطة: كامل، نرمين عبدالخالق منشور: (2017) -
The Two-Point Resistance for the Circular Ladder
بواسطة: فرحات، عبدالسلام رجب رمضان منشور: (2016) -
Carrier Heating Effects in Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier
بواسطة: جلود، سلام ثامر منشور: (2015) -
The Magnetization of the (GaAs) Double Quantum Dots in a Magnetic Field
بواسطة: حجاز، اشتياق محمد ياسر منشور: (2016)
