ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







يجب تسجيل الدخول أولا

Radiation Resistance of the ATLAS-ALFA Electronics and Trigger Efficiency Analysis at √s=13 TeV and B*=2.5 km

العنوان بلغة أخرى: مقاومة إلكترونيات كاشف ألفا-أطلس بسيرن وحساب كفاءة عملية الاصطفاء من خلال تحليل بيانات الكاشف عند طاقة مركز كتلة 13تيار إلكترون فولت وخصائص موجية محددة
المؤلف الرئيسي: المغارى، عبدالرحمن ياسر عبدالله (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Almeghari, Abdelrahman
مؤلفين آخرين: الغصين، ماهر عمر (مشرف) , شبات، محمد موسى (مشرف)
التاريخ الميلادي: 2018
موقع: غزة
الصفحات: 1 - 116
رقم MD: 1011001
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: الإنجليزية
الدرجة العلمية: رسالة ماجستير
الجامعة: الجامعة الإسلامية (غزة)
الكلية: كلية العلوم
الدولة: فلسطين
قواعد المعلومات: Dissertations
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 05310nam a22003497a 4500
001 1511050
041 |a eng 
100 |9 546259  |a المغارى، عبدالرحمن ياسر عبدالله  |g Almeghari, Abdelrahman  |e مؤلف 
245 |a Radiation Resistance of the ATLAS-ALFA Electronics and Trigger Efficiency Analysis at √s=13 TeV and B*=2.5 km 
246 |a مقاومة إلكترونيات كاشف ألفا-أطلس بسيرن وحساب كفاءة عملية الاصطفاء من خلال تحليل بيانات الكاشف عند طاقة مركز كتلة 13تيار إلكترون فولت وخصائص موجية محددة 
260 |a غزة  |c 2018 
300 |a 1 - 116 
336 |a رسائل جامعية 
502 |b رسالة ماجستير  |c الجامعة الإسلامية (غزة)  |f كلية العلوم  |g فلسطين  |o 0251 
520 |a كاشف ألفا المنشئ تحت الأرض في مسارع الهادرونات الكبير بسيرن يتأثر بالإشعاع بسبب قربه من شعاع البروتونات، سواء كان التأثير بشكل آني بسبب شدة الإشعاع أو تراكميا بسبب كمية الجرعة المستقبلة خلال فترة زمنية معينة، معظم أجزاء الكاشف محمية بشكل جزئي. لكن الإشعاع المتبقي يؤثر على الإلكترونيات الخاصة بالكاشف. مقاومة الإلكترونيات الخاصة بألفا متضمنا اللوحة الأم - لوحة مضخم الفوتونات - لوحة المحفز - لوحة المراقبة والتحكم المحلية) تمت دراستها في هذا العمل. بالإضافة إلى ذلك تم حساب كفاءة عملية الانتقاء الكاشف للتصادمات المرنة بين البروتونات عند مستوى قوة كولوم. وتم حسابها لبيانات حقيقية من مصادم الهادرونات الكبير عند طاقة مركز كتلة تساوي 13 تيرا إلكترون فولت وعند خواص ضوئية محددة لكاشف ألفا. النتائج أظهرت أن اللوحة الأم تعطلت ما بين جرعة تساوي 500 لـ 600 جراي بشكل عام. بينما لوحة المراقبة والتحكم المحلية توقفت عن العمل بشكل صحيح في مرحلة مبكرة جدا من عملية الإشعاع. توقفت هذه اللوحة عن العمل بشكل جزئي (مراقبة المتغيرات) عند جرعة ابتداء من 59 جراي في العينة الأولى وأقل من 94 جراي في العينة الثانية، بينما توقفت بشكل كلي عن العمل (عن المراقبة والتحكم) عند جرعة ابتداء من 184 جراي للعينة الأولى وما بين 94 جراي و 194 جراي للعينة الثانية. بسبب شدة الإشعاع تأثرت بعض المكونات بشكل عشوائي منها أحد أجزاء لوحة المحفز الخاص بتفعيل قراءة البيانات بشكل اصطفائي من الكاشف. تم حساب كفاءة الاصطفاء بشكل فردي لكل كاشف في هذا الدراسة باستخدام طريقتين الأولى باستخدام معلومات محفز ألفا من بيانات ألفا الكلية والثانية باستخدام العناصر المنطقية في معالج التحفيز المركزي الخاص بأطلس. الكفاءة باستخدام الطريقتين أعلى من 99.8% باستثناء الكاشف رقم 7 و 8. في الكاشف رقم 8 الكفاءة أعلى من 99.42% ما عدا في عملية التشغيل رقم 309010 وتساوي 98.55% أما في الكاشف رقم 7 فتتغير الكفاءة من 98.36% إلى 99.68%. كفاءة المحفز للتصادم المرن نوع 15 و 18 واللذان يتم استعمالهما في تحليل البيانات الفيزيائية الخاصة بالكاشف هي صاحبة أعلى كفاءة لأنها تستفيد من بوابة الاختيار المنطقية ما بين الكاشفين على يمين نقطة التصادم وعلى يسارها وهي أكبر من 99.97% في كلا نوعي التصادم. 
653 |a المركبات الكيميائية  |a المقاومة الإلكترونية  |a الخصائص الكيميائية 
700 |9 546220  |a الغصين، ماهر عمر  |e مشرف 
700 |a شبات، محمد موسى  |g Shabat, Mohammed M.  |e مشرف  |9 244962 
856 |u 9808-001-009-0251-T.pdf  |y صفحة العنوان 
856 |u 9808-001-009-0251-A.pdf  |y المستخلص 
856 |u 9808-001-009-0251-C.pdf  |y قائمة المحتويات 
856 |u 9808-001-009-0251-F.pdf  |y 24 صفحة الأولى 
856 |u 9808-001-009-0251-1.pdf  |y 1 الفصل 
856 |u 9808-001-009-0251-2.pdf  |y 2 الفصل 
856 |u 9808-001-009-0251-3.pdf  |y 3 الفصل 
856 |u 9808-001-009-0251-4.pdf  |y 4 الفصل 
856 |u 9808-001-009-0251-5.pdf  |y 5 الفصل 
856 |u 9808-001-009-0251-O.pdf  |y الخاتمة 
856 |u 9808-001-009-0251-R.pdf  |y المصادر والمراجع 
930 |d y 
995 |a Dissertations 
999 |c 1011001  |d 1011001