يجب تسجيل الدخول أولا
Optical and Electrical Dynamics in The ZnS/Ge/Ga2Se3 (p+ -n) Thin Film Transistors
| العنوان بلغة أخرى: |
الديناميكا الضوئية في ترانزستورات Zns / Ge / Ga2se3 الرقيقة |
|---|---|
| المؤلف الرئيسي: | عبدالله، ميسم محمد أحمد (مؤلف) |
| مؤلفين آخرين: | قصراوي، عاطف فايز (مشرف) |
| التاريخ الميلادي: |
2017
|
| موقع: | جنين |
| الصفحات: | 1 - 89 |
| رقم MD: | 1019324 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | الإنجليزية |
| الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
| الجامعة: | الجامعة العربية الأمريكية - جنين |
| الكلية: | كلية الدراسات العليا |
| الدولة: | فلسطين |
| قواعد المعلومات: | Dissertations |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
عدد مرات التحميل
13
| المستخلص: |
في هذه الرسالة، تم مناقشة تصميم وتشخيص رقائق ZnS/Ge/Ga2Se3 المتغايرة حيث تم دراسة طبقات ZnS, ZnS/Ge, ZnS/Ge/Ga2Se3 المتبخرة على التوالي بواسطة المجهر الإلكتروني وطيف تشتت الأشعة السينية وتقنية انحراف الأشعة السينية وتقنية الطيف الضوئي وطيف الممانعة. وتم أيضا تشخيص منحنيات الجهد والتيار في الظلام تحت إنارة ضوء التنجستون الساقط على سطح طبقة Ga2Se3 من الأعلى. ولوحظ في هذه الدراسة أن طبقة ZnS هي الطبقة الوحيدة المتبلورة وأن الطبقات الأخر هي عشوائية التركيب البنائي. وقد احتوت هذه الطبقات الأخيرة على توزيع عشوائي لحبيبات المواد المكونة وقد بينت دراسة التوزيع الكيميائي للمكونات بأن ZnS يحتوي على نسبة أعلى من Zn مما يجعله موجب الموصلية. وتبين أيضا بأن Ga2Se3 يحتوي على كمية زائدة من Se مما يجعله سالب الموصلية. وبما أن الجرمانيوم هو أيضا موجب الموصلية، فإن التركيبة المتغايرة هي أيضا تمثل قناة صمام ثنائي. وقد أظهرت الدراسات الضوئية بأن فراغات الطاقة تتضيق بإضافة الطبقات العشوائية إلى طبقة ZnS مما يجعل الالتواء في مستويات طاقة التكافؤ والتوصيل مناسبة لصناعة الترانزستورات الرقيقة. وقد تمت دراسة هذه الترانزستورات ضوئيا من خلال التحليل النظري المقارن بالعملي للموصلية الضوئية والتي تبين أنها تشتمل تفاعلات إلكترونية-بلازمونية بتردد بلازموني في مستوى الجيجاهيرتز. وتبين أيضا بأن هذه الترانزستورات يمكنها أن تتصرف كمواسعات فريدة من نوعها تمتلك خاصية الرنين -والرنين المضاد بالإضافة إلى المواسعة السالبة. وتبين أيضا من تحليل منحنيات الجهد والتيار في الضوء والظلام على امتداد الطبقة السالبة الموصلية بأنها حساسة للضوء مما يجعلها مناسبة لصناعة الأجهزة الإلكترونية. وفي ضوء هذا البحث تبين أنه يمكن استخدام تركيبة ZnS/Ge/Ga2Se3 المتغايرة لأداء أكثر من عمل في آن واحد كتطبيقات الميكرويف والرنان الضوئي والمجسات الكهروضوئية. |
|---|
عناصر مشابهة
-
Investigation of the physical properties of Tl2InGaSe4 crystals
بواسطة: Irshaid, Tahani Mohammad منشور: (2019) -
Study of the Electrical and Optical Properties of In2 Se3 Thin Films
بواسطة: محمد، أشرف السيد بخيت منشور: (1993) -
Enhancement the Optical Properties of CuZnS Thin Films by Sprayed Au Nanoparticles for Photodetectors
بواسطة: حميد، علي عبدالحسين منشور: (2017) -
Structural and Optical Properties of Lead Selenide Thin Films
بواسطة: Jaboori, Eman M. منشور: (2011) -
Design and Characterization of ZnSe / SeO2 Heterojunction Devices
بواسطة: سليمار، سوزان خالد منشور: (2022)
