| المستخلص: |
هدفت هذه الدراسة العلمية إلى دراسة تأثير أشعة جاما المنبعثة من عنصر الكوبالت المشع 60CO بطاقة مقدارها (Mev1.25) وبنشاط إشعاعي عند التشعيع مقداره (KCi1.485) وذات عمر نصف مقداره (years5.26) على الترانزستور ثنائي القطبية نوع npn رقم AC129 توصيلة الباعث المشترك وقد أجريت الدراسة في كل من مستشفى الذرة بالخرطوم لتشعيع مجموعة من ترانزستور AC129 وكلية الهندسة بجامعة أم درمان الإسلامية لقياس ورسم منحنى الخصائص وقد استخدم لتحديد الجرعة والزمن جهاز المسح (Pinnacle3 RTP System 7.6c) واستخدم كمصدر لأشعة جاما جهاز الكوبالت (ALCYON 11 CGR.FRANCE) وذلك لتشعيع العينات من الترانزستور بالجرعات (10,50,100,150,200,250,500 MGY) واستخدمت اللوحة الإلكترونية وأجهزة المليميتر والفولت ميتر والمذبذب وراسم الاشارات للقياسات الإلكترونية وبرنامج XL لجدولة ورسم وتحليل النتائج واستخدم المنهج التحليلي والاستقراء. وقد خلصت الدراسة إلى أن تيار المجمع IC يزيد مع زيادة الجرعات الإشعاعية وذألك عند ثبوت كلا من جهد القاعدة وجهد الباعث المجمع، وزادة gm (الموصلية) بشكل عام بعد التشعيع بنسبة (%40.05) وتكون أكبر ما يمكن عند (10mGy) وبالتالي تناقصت المقاومية وكسب الجهد. وان التشعيع زاد من كسب التيار ومعامل التكبير وكسب القدرة. والسبب لهذه التأثيرات تناقص عرض النطاق المحظور مع زيادة الجرعات الإشعاعية يؤدي ذلك إلى نقصان الفولتية وبالتالي زيادة التيار المتحرك خلال الوصلة ومنة تزيد سرعة الحاملات للشحنة. ويحدث تأين (تأثير كومبتون) فيؤدي إلى اختلاف في التركيز وفي الحركية وفي حوامل الأقلية فيقل كسب التيار ويؤدي التشعيع إلى تشوه شكل خرج الفولتية. وانه يجب تدرع القطع الالكترونية أو الأجهزة التي تحويها والتي تعرض بشكل مستمر ومكثف لأشعة جاما وخصوصا ذات الطاقة العالية (تأثير تشكيل زوج) وان تكون هذه الدروع من مواد ذات عدد ذري عالي (عددها الذري كبير).
The aim of this scientific study is to study the effect of gamma rays emitted from the element cobalt radioactive CO 60 card of (1.25 Mev) and active radiation at the irradiation amount (1.485 KCi) and with a half-life of (5.26 years) on npn bipolar the transistor No. AC129 common emitter. The study was conducted in each of the com in Khartoum Hospital for irradiating a set of transistors AC129 and the Faculty of Engineering, University of Omdurman Islamic to measure and draw characteristics curve was used to determine the dose and the time the scanning device(Pinnacle3 RTP System 7.6c) was used as a source of cobalt gamma ray device (ALCYON 11 CGR.FRANCE), for samples irradiation dose of the transistor(10,50,100,150,200,250,500 MGY) And used the painting and electronic devices Al millimeter and Voltage Meter and the oscillator and oscilloscope signals for measurements of electronic and program XL to schedule, design and analysis of the results and use the analytical method and extrapolation. The study concluded that the current complex IC increases with increasing radiation dose and spectrum at the evidence of both the effort-Qaeda and effort motivated the complex, Zadeh gm (conductivity) in general after irradiation by (40.05%), and what can be greater when (10mGy) and thus decreased resistivity and voltage gain. And that irradiation increased the gain coefficient of the current and zoom in and gain the ability. The reason for these effects decrease the bandwidth increase with banned radiation doses lead to a decrease in voltage and thereby increase the current moving through the link of it and increase the speed of the charge carriers. It occurs ionization (impact Compton) leads to a difference in focus and in kinetic and in pregnant minority decreases gain power and leads irradiation to distort the shape out voltages. And that he should Tdra electronic parts or devices that contain and that offer a continuous and intense gamma rays, especially high-energy (the impact of the formation of pair) and that these shields of materials with high atomic number (the number of atomic her large).
|
