المستخلص: |
الهدف من البحث هو دراسة الخصائص الإلكترونية للفلرين C60 النقي والفلرين المتباين C59X وC58X2 (X=O, S, Se, F, Cl, Br) باستخدام نظرية الكثافة الوظيفية (DFT). في السنوات الأخيرة أصبحت هذه النظرية واحدة من النظريات الأكثر منهجية وشعبية في مجال الحسابات الكيميائية والفيزيائية بشكل عام وفي مجال الدراسة الجزئية للفولرين على وجه الخصوص. في هذه الدراسة هناك جزئين. في الجزء الأول، ذرات بعض عناصر الجدول الدوري تطعم للفلرين النقي للحصول على جزيئات الفلرين المتباين وحساب الخصائص الإلكترونية للجزيئات التي تم الحصول عليها بعد التطعيم، وكانت الهياكل الهندسية، والخصائص الإلكترونية للجزئيات المطعمة التي تم الحصول عليها درس منهجيا ومقارنة مع جزيئة الفولرين C60 النقي. وقد درست هذه الجزئيات من خلال الدالة B3LYP، مجموعة أساس (d,p) 6-31G وباستخدام نظرية الكثافة الوظيفية (DFT). وحسب أعلى مدار جزيئي مشغول (HOMO) وأدنى مدار جزيئي غير المشغول (LUMO) وفجوة الطاقة (LUMO-HOMO)، وجهد التأين (IP)، والألفة الإلكترونية (EA)، وطاقة فيرمي (EF) لهذه الجزيئات. أما في الجزء الثاني، امتزت جزيئات الغازات CO وH2S على سطح كل من فلرين (C60 وC58Cl2) في مواقع مختلفة، وباستعمال النظرية الكثافة الوظيفية (DFT). في هذا الجزء تم حسبت نفس الخصائص الإلكترونية المحسوبة في حالة التطعيم وطاقة الامتزاز (Eads) للجزيئات التي تم امتزازها مع كل (C60 وC58Cl2) وبواسطة (d,p) B3LYP / 6-31G. النتائج التي تم الحصول عليها يمكن استخدامها في التطبيقات العملية. في الجزء الأول، حصلت أقل فجوة طاقة (Eg) لجزيئة الفلرين المتباين C58Cl2 وهي (0.476) الكترون فولت) عند تطعيم الفلرين C60 النقي بذرتين من عنصر الكلور. في الجزء الثاني، حصلت طاقة امتزاز (Eads) بقيمة (V 5.4.0 -) عند امتزاز غاز CO مع C58Cl2، أما عند امتزاز غاز H2S مع نفس الجزيئة بقيمة (eV 0.463-). ويمكن استخدام هذه النتائج كمتحسس للكشف عن كل من غازي CO وH2S وفقا للقيم المذكورة أعلاه.
|