اقتباسات السجل

نمط اقتباس:

APA إسلوب

Sellami، M.، و Sellami، A. (2015). In-Depth Simulation Analysis Of The Si-Sio2 Interface Traps By The Charge Pumping. مجلة آفاق علمية، ع10 ، 1 - 9. مسترجع من http://search.mandumah.com/Record/1029376

MLA إسلوب

Sellami، M.، و A. Sellami. "In-Depth Simulation Analysis Of The Si-Sio2 Interface Traps By The Charge Pumping." مجلة آفاق علمية ع10 (2015): 1 - 9. مسترجع من http://search.mandumah.com/Record/1029376

تنبيه: هذه الاقتباسات قد لا تكون دقيقة 100%.

دليل المستخدم

دليل الفيديو