In-Depth Simulation Analysis Of The Si-Sio2 Interface Traps By The Charge Pumping
| المصدر: | مجلة آفاق علمية |
|---|---|
| الناشر: | المركز الجامعي أمين العقال الحاج موسى أق أخموك بتامنغست |
| المؤلف الرئيسي: | Sellami, M. (Author) |
| مؤلفين آخرين: | Sellami, A. (Co-Author) |
| المجلد/العدد: | ع10 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: |
الجزائر |
| التاريخ الميلادي: |
2015
|
| الشهر: | جوان |
| الصفحات: | 1 - 9 |
| DOI: |
10.35554/1697-000-010-001 |
| ISSN: |
1112-9336 |
| رقم MD: | 1029376 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| اللغة: | الإنجليزية |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| كلمات المؤلف المفتاحية: |
Si-SiO2 Interface | Fast States | Slow States | Defect Profile | Charge Pumping
|
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| المستخلص: |
The purpose of this work is to contribute to a better electrical characterization of the Silicon-Oxide interface By the Three level charge pmping. The introduction of a third voltage level in the gate pulse gives access to the same parameters as the two charge pumping but requires less simplifying assumptions. We show that the three charge pumping and its variants are powerful tools to determine the Dit (E) and σ (E) distribution. The simulated results are in a good agreement with recent and different experimental results |
|---|---|
| ISSN: |
1112-9336 |
عناصر مشابهة
-
Effects Of Cavitation on The Efficiency Of Centrifugal Pumps
بواسطة: Gismella, Yousif Babiker منشور: (2004) -
SiO2-the Potential Source of Industrial and Biotechnological Applications
بواسطة: Jallah, Rebey M. منشور: (2008) -
Prediction, Analysis and Implementation of Beam Pump Failures Using Machine Learning Tools: Case Study in Oman Field
بواسطة: Al Shidhani, Fahmi Sultan Barghash منشور: (2024) -
Optimal Control of an Industrial Beam Pump
بواسطة: Al Harrasi, Said Ayoub Said منشور: (2012) -
Study the Surface Characterization of Anodic Grow SiO2 Nano Film on Si by Using AFM
بواسطة: Issa, Assim A. منشور: (2018)
