ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > تأثير زمن التنميش على مورفولوج...>الوصف

تأثير زمن التنميش على مورفولوجية سطوح زرنيخيد الغاليوم المنتجة بطريقة التنميش الكيميائي الضوئي باستخدام ضوء الشمس

العنوان بلغة أخرى: Effect of Etching Time on Gallium Arsenide Surfaces Morphology Produced by Photochemical Etching Method Using Sunlight
المصدر: مجلة أبحاث كلية التربية الأساسية
الناشر: جامعة الموصل - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: يوسف، إسلام ناصر (مؤلف)
مؤلفين آخرين: محمد، حسين علي (م. مشارك), كاظم، حسن عسكر (م. مشارك)
المجلد/العدد: مج17, ع2
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2021
الصفحات: 1550 - 1570
DOI: 10.33899/berj.2021.168557
ISSN: 1992-7452
رقم MD: 1164620
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الفيزياء الكيميائية | الدراسات المورفولوجية | زرنيخيد الغاليوم المسامي | التنميش الكيميائي | ضوء الشمس
كلمات المؤلف المفتاحية:
التنميش | مورفولوجية السطح | زرنيخيد الغاليوم المسامي | التنميش الكيميائي الضوئي | التألق الضوئي | الخشونة | النانو تكنولوجي | The Etching | Surface Morphology | Porous Gas | Photochemical Etching | Photoluminescence | Roughness | Nano Technology
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: Porous gallium arsenide has been prepared from wafers of crystalline gallium arsenide type (n-type) with crystallographic orientation (111) and resistivity (0.00245 Ω-cm) by photochemical etching using sunlight as a light source to distinguish it from its other industrial sources such as different light bulbs (Halogen lamp, Tungsten lamp) and the various light sources in laser. The effect of etching time on surface morphology of GaAs was studied by atomic force microscope (AFM). The results showed the possibility of obtaining layers of porous gallium arsenide of different surface nature when changing the etching times (50 min, 40 min, 30 min) and the constancy of acid concentration at (HF 40%) and illumination intensity at (8901 mw/cm2) porous layers are formed with thicknesses (31.70 nm, 30.13 nm, 15.28 nm) and with average diameters of granules and nanoparticles (64.31 nm, 98.73 nm, 80.26 nm) respectively. Both the surface roughness and the thickness of the porous layer of the prepared wafers increased when the etching time increased and decreased when the etching time decreased. It has been found that the production of nanoporous gallium arsenide structures is essential to obtain a surface with distinctive specifications for use in photoelectrons devices and solar cells.

تم تحضير زرنيخيد الغاليوم المسامي (Porous GaAs) من شرائح زرنيخيد الغاليوم البلوري نوع (n-type) وذات اتجاه بلوري (١١١) ومقاومية (0.00245 Ω-cm) عن طريق التنميش الكيميائي الضوئي باستخدام ضوء الشمس كمصدر ضوئي وذلك لتميزها على العديد من مصادرهـا الصناعية الأخرى كالمصابيح الكهربائية المختلفة (مصباح الهالوجين، مصباح التنكستن) والمصادر الضوئية المختلفة في الليزر، وتم دراسة تأثير زمن التنميش على المورفولوجية السطحية لزرنيخيد الغاليوم باستخدام مجهر القوة الذرية (AFM)، وبينت النتائج إمكانية الحصول على طبقات من زرنيخيد الغاليوم المسامي ذات طبيعة سطح مختلفة عند تغيير أزمنة التنميش (30 min, 40 min. 50 min) وثبات كل من تركيز حامض الهيدروفلوريك عند (HF 40%) وشدة الإضاءة عند (8901 mw/cm2)، حيث تكونت طبقات مسامية بسمك (15.28 nm, 30.13 nm, 31.70 nm) وبمعدل أقطار للحبيبات والجسيمات الثانوية (64.31 nm, 80.26 nm, 98.73 nm) على التوالي، وإن كل من الخشونة السطحية وسمك الطبقة المسامية للشرائح المحضرة تزداد عند زيادة زمن التنميش وتقل عند نقصان زمن تنميشها، ووجد أن إنتاج تراكيب زرنيخيد الغاليوم المسامي النانوي ذات ضرورة مهمة للحصول على سطح بمواصفات مميزة من أجل استخدامها في نبائط الإلكترونات الضوئية والخلايا الشمسية.
ISSN: 1992-7452

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.