المؤلف الرئيسي: | Zenkhri, Djamel Eddine (Author) |
---|---|
مؤلفين آخرين: | Khelfaoui, Fethi (Advisor) |
التاريخ الميلادي: |
2019
|
موقع: | ورقلة |
الصفحات: | 1 - 58 |
رقم MD: | 1169560 |
نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
اللغة: | الفرنسية |
الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
الجامعة: | جامعة قاصدي مرباح - ورقلة |
الكلية: | كلية الرياضيات وعلوم المادة |
الدولة: | الجزائر |
قواعد المعلومات: | Dissertations |
مواضيع: | |
رابط المحتوى: |
المستخلص: |
التعريضات وأشكال خطوط الطيف تسمح بتحديد مختلف عناصر الوسط ودرجة تأينها إضافة إلى الشروط الفيزيائية مثل درجة الحرارة، الكثافة والسرعة. مطيافية الانبعاث الذرية هي طريقة فعالة في معالجة ودراسة الأوساط الغازية والبلازما. هذه المذكرة تعالج التعريض ستارك الإلكتروني باستعمال نموذج Smith و Hooper ونموذج Griem. استعمال النموذج الأول يعتمد على حساب العناصر القطبية الكهربائية بين قيم الـــــ mj وأيون السليسيوم Si II من أجل انتقالات مختلفة وشروط مختلفة لدرجة حرارة من (5000K إلى 100.000 K) وكثافة الإلكترونية 1017 cm-3. النتائج المتحصل عليها متوافقة مع النتائج النظرية لأعمال أخرى. |
---|