ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > دراسة الاستجابية والكفاءة الكم...>الوصف

دراسة الاستجابية والكفاءة الكمية لنبطية P-N السيليكونية المحضرة بطريقة بلازما الحاقن النبضي

العنوان بلغة أخرى: Study the Responsory and Quantum Efficiency of Silicon P-N Junction by Using Pulse Plasma
المصدر: مجلة التربية والعلم
الناشر: جامعة الموصل - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: شيت، صلاح عبدالوهاب (مؤلف)
مؤلفين آخرين: عبدالوهاب، محمد نافع (م. مشارك)
المجلد/العدد: مج29, ع4
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2020
الصفحات: 259 - 278
DOI: 10.33899/edusj.2020.167287
ISSN: 1812-125X
رقم MD: 1202306
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الأنتيمون | الأنديوم | السيليكون | نبطية P-N | أيونات الهيدروجين | الكفاءة الكمية | بطريقة بلازما الحاقن النبضي
كلمات المؤلف المفتاحية:
نبطية P-N | الحاقن النبضي | التشعيع | P-N Junction | Pulse Plasma | Irradiation
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: استخدمت منظومة حاقن البلازما النبضي لتحضير ثنائي وصلة P -N Junction حيث تم ترسيب مادة الأنتيمون على شريحة السيلكون نوع توصيلية P ومادة الانديوم على شريحة السيلكون نوع توصيلة N كأغشية رقيقة وقصفت النماذج بأيونات الهيدروجين المعجلة والمتولدة في منظومة حاقن البلازما النبضي. اجريت الفحوصات البصرية للثنائيات المحضرة لتقييمها ككواشف بصرية والتي شملت فحوصات الاستجابية الطيفية والكفاءة الكمية والتحسسية وقد أظهرت النتائج بأن هذه الكواشف ذات استجابية وكفاءة كمية أعلى للأطوال الموجية للأشعة تحت الحمراء القريبة. وقد أظهرت كذلك تحسسية عكسية نسبيا وان الاستجابية والتحسسية تزداد بزيادة عدد التفريغات الكهربائية للنماذج المحضرة ولوحظ زيادة في زمن استجابة الكشف بزيادة تعرض النماذج إلى عدد أكبر من التفريغات الكهربائية للنماذج المطعمة بالأنتيمون والانديوم مما يتيح استخدامها في كواشف الاستقبال العاملة في مجال الاشعة تحت الحمراء القريبة وفي منظومات الليزر لأشباه الموصلات العاملة ضمن الاطوال الموجبة (850mm إلى 950nm) وفي منظومات الاتصالات البصرية. وكذلك إمكانية استخدام منظومة حاقن البلازما النبضي في تحوير سطوح المواد وخاصة في مجال تحوير سطوح أشباه الموصلات.

In this work we have used plasma pulsed injector to prepare a P-N junction. Antimony was deposited on P-type silicon wafer and Indium was deposited on N-type silicon wafer. They were considered as thin film which was bombarded with accelerated hydrogen-ions from the pulsed plasma injector. Optical tests were conducted for the both junctions to evaluate their performance as optical detectors. These include the spectral response quantum efficiency and detectivity. They showed high response and efficiency for the long wavelength in the near IR region. It showed a relatively higher detectivity which increased with the number of discharges. For antimony and indium implanted samples we have noticed an increase in the response time of the detector with the number of discharges. These findings allow the possibility to use them in the near IR-detector and semiconductor lasers in the wavelength range 850-950nm as well as in the applications of optical communication systems. This work also revealed the possibility of using the pulsed plasma injection to modify the material surfaces as well as the ultering the semiconductor surfaces.
ISSN: 1812-125X

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.