ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > حساب تركيب حزمة الطاقة الإلكتر...>الوصف

حساب تركيب حزمة الطاقة الإلكترونية لبلورة "GaAs" باستخدام طريقة الربط المحكم شبه التجريبية

العنوان بلغة أخرى: Calculation of the Electronic Energy Band Structure of "GaAs" Crystal Using the Semiempirical Tight Binding Method
المصدر: مجلة التربية والعلم
الناشر: جامعة الموصل - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: يحيي، إسماعيل ثمين طليع (مؤلف)
مؤلفين آخرين: حسين، ممتاز محمد صالح (م. مشارك)
المجلد/العدد: مج30, ع4
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2021
الصفحات: 1 - 14
DOI: 10.33899/edusj.2021.129475.1140
ISSN: 1812-125X
رقم MD: 1203196
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الطاقة الإلكترونية | الحزم البلورية | طريقة الربط المحكم | الكتلة الفعالة
كلمات المؤلف المفتاحية:
تركيب حزم الطاقة لـ GaAs | طريقة الربط المحكم | حساب الكتلة الفعالة m+ | Band Structure of GaAs | Tight Binding Method | Calculation of Effective Mass m+
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: في هذا البحث تم استخدام طريقة الربط المحكم شبه التجريبية للجيران الأقرب في منطقة برليون الأولى في حساب حزم الطاقة لبلورة GaAs والتي تمتلك تركيب المشبك الخارصيني Zinc blende ZB حيث تم حساب شكل الحزم الإلكترونية باستخدام النموذج sp3 الذي يمتلك 9 معلمات واستخدام النموذج sp3s* والذي يمتلك 13 من المعلمات التي تستخدم في حساب الخصائص الرئيسية لحزم التوصيل والتكافؤ. تم تحديد عناصر المصفوفة باستخدام الطريقة التي اتبعها كل من Cohen وVogl، بواسطة تحديد نقاط في فضاء متجه الموجة داخل منطقة برليون المختزلة بين نقاط التماثل العالي وحساب القيم الذاتية لكل هذه النقاط من خلال بناء برنامج حاسوبي بلغة MATLAB لتشكيل حزمة الطاقة. وتم حساب الكتلة الفعالة m* على طول اتجاه التماثل [111] لأدنى حزمة للتوصيل، وكذلك أجريت مقارنة للنتائج التي تم الحصول عليها باستخدام النموذج sp3 الذي اتبعه Cohen والنموذج sp3s* الذي اتبعه Vogl. قورنت النتائج طاقات تركيب الحزمة في نقاط التماثل العالية T وX التي تم الحصول عليها من الدراسة مع نتائج البحوث المنشورة وبينت النتائج أن هناك فرق في فجوة الطاقة بين النموذج sp3 وsp3 s*، وتوافق في طاقات تركيب الحزمة في نقاط التماثل العالية بين هذين النموذجين والدراسات السابقة.

In this paper, the semi-empirical tight binding method for the nearest neighbors in the first Brillouin zone has been used to calculate the energy band structure of GaAs crystal which have zinc blend ZB structure, the band structure has been calculated by using sp3 model which have 9 parameters and sp3s∗ which have 13 parameters, both these models are used to calculate the main characteristic of both valence and conduction bands. The matrix elements were determined using the method followed by Cohen and Vogl, by identifying points in the wave vector space within the reduced Brillouin zone between the points of high symmetry and calculating the eigenvalues of all these points by building a computer program in MATLAB to form the energy band structure. The effective mass ?∗ along the direction [111] for the lowest conduction bands has been calculated. A comparison between the sp3 model used by Cohen and the sp3s∗ model used by Vogl has been made. The energies of the band structure at points the high symmetry Γ and X obtained from the study were compared with the results of the published research. The results showed that there is a difference in the energy gap between sp3 and sp3s* models and there is good agreement between the band energies at high symmetry points between these two models and the published results.
ISSN: 1812-125X

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.