ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > حسابات تركيب حزم الطاقة للبلور...>الوصف

حسابات تركيب حزم الطاقة للبلورات GaP، GaSb ،GaAs كدالة لدرجة الحرارة باستخدام طريقة الربط المحكم شبه التجريبية

العنوان بلغة أخرى: Calculations of Energy Band Structure of GaAs, GaSb and GaP Crystals as a Function of Temperature Using the Semiempirical Tight Binding Method
المصدر: مجلة التربية والعلم
الناشر: جامعة الموصل - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: يحيي، إسماعيل ثمين طليع (مؤلف)
مؤلفين آخرين: حسين، ممتاز محمد صالح (م. مشارك)
المجلد/العدد: مج30, ع4
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2021
الصفحات: 201 - 219
DOI: 10.33899/edusj.2021.130682.1170
ISSN: 1812-125X
رقم MD: 1203273
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
علم الفيزياء | مصادر الطاقة | حزم الطاقة | حزم أشباه الموصلات | معامل الإنكسار
كلمات المؤلف المفتاحية:
حزم الطاقة | حزم أشباه الموصلات | فجوة الطاقة مع درجة الحرارة | معامل الانكسار | Energy Bands | Semiconductor Bands | Energy Gap with Temperature | Refractive Index
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: لقد أحتسب في هذا البحث تركيب حزم الطاقة لمجموعة الكاليوم في بلورات شبه الموصل من نوع III-V مع درجة الحرارة، إذ استخدمت نظرية الربط المحكم شبه التجريبية في حساب شكل الحزمة، واحتسب عناصر المصفوفة لكلا النموذجين sp3 وsp3s*. إذ تم تصميم برنامج حاسوبي بلغة MATLAB لحساب القيم الذاتية للطاقة من خلال تكوين نقاط لمتجه الموجة في منطقة برليون الأولى Brillouin zone (BZ) بين نقاط التماثل العالية لتشكيل حزم الطاقة. إذ درس تأثير درجة الحرارة على حزم الطاقة لهذه المجموعة من البلورات من خلال حساب تغير قيم ثابت الشبيكة تحت تأثير درجة الحرارة حسب علاقة Pierron وبالتالي حساب تغير طول الآصرة مع درجة الحرارة والتي تؤثر بدورها في تغير قيم معاملات عناصر مصفوفة الهاملتوني. تم حساب فجوة الطاقة ومعامل الانكسار عند النقاط عالية التماثل مع درجة الحرارة. بينت النتائج نقصان في قيم فجوة الطاقة للبلورات GaSb, GaAs وGaP مع زيادة درجة الحرارة. وثم استخدمت علاقة Varshni التجريبية لحساب التغير في قيم فجوة الطاقة لهذه البلورات وقورنت النتائج التي تم الحصول عليها في الدارسة الحالية مع نتائج Panish وBellani، حيث أظهرت النتائج إن نموذج *sp3s يعطي نتائج أفضل من النموذج sp3. وكذلك بينت حسابات معامل الانكسار لهذه البلورات باستخدام صيغة Moss أن معامل الانكسار يزداد تدريجياً مع زيادة درجات الحرارة.

In this paper, the band structure of gallium group of III-V semiconductor has been calculated with temperature, the semi-empirical tight binding method was used to calculate the band structure and the matrix elements were calculated for both models sp3 and sp3s∗. A computer program in MATLAB was designed to calculate the energy eigenvalues for the wave vector points in the first Brillouin zone between high symmetry points to form energy bands. The effect of temperature on the energy band of these group of crystals has been studied by changing the values of the lattice constant under the influence of temperature according to the Pierron relation and thus calculating the change in the length of the bond with temperature, which in turn affects the change in the values of the elements of the Hamiltonian matrix. The energy gap and refractive index were calculated at points of high symmetry as a function of temperature. The results showed a decrease in the energy gap values of GaAs, GaSb and GaP crystals with increasing temperature. Then the experimental Varshni relation was used to calculate the change in the energy gap values of these crystals and the results obtained from current study were compared with the results of Panish and Bellani, where the results showed that a model sp3s∗ gives better results than the model sp3. As well as the calculations of the refractive index of these crystals using the Moss formula showed that the refractive index will gradually increase with increasing temperatures.
ISSN: 1812-125X

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.