ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > دراسة الخصائص الكهربائية لجسيم...>الوصف

دراسة الخصائص الكهربائية لجسيمات الفضة النانوية المرسبة على السليكون المسامي

العنوان بلغة أخرى: Study of Electrical Properties of Silver Nanoparticles Deposited on Porous Silicon
المصدر: مجلة التربية والعلم
الناشر: جامعة الموصل - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: إسماعيل، محمد إبراهيم (مؤلف)
مؤلفين آخرين: علي، غزوان غازي (م. مشارك)
المجلد/العدد: مج30, ع4
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2021
الصفحات: 28 - 36
DOI: 10.33899/edusj.2021.129664.1147
ISSN: 1812-125X
رقم MD: 1203301
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
علم الفيزياء | الخصائص الكهربائية | جسيمات الفضة النانوية | السيليكون المسامي | المقاومة الكهربائية
كلمات المؤلف المفتاحية:
السليكون المسامي | جسيمات الفضة النانوية | الخصائص الكهربائية | Porous Silicon | Silver Nanoparticles | Electrical Properties
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: يهدف البحث إلى تحضير ودراسة خصائص السليكون المسامي بطريقة التنميش الكهروكيميائي الضوئي باستخدام شريحة السليكون نوع n-type ذات مقاومة كهربائية (0.01- 0.02 Ω.cm) وذات اتجاهية (100) وبتركيز 20% من حامض الهيدروفلوريك (HF) وبكثافة تيار ثابتة 15 mA/ cm2 عند زمن تنميش (5 min). رسبت دقائق الفضة النانوية (AgNps) باستخدام الليزر النبضي ذات القدرة العالية (Pulsed Laser ablation) بطريقة التقطير (drop casting) وباستخدام طاقات مختلفة لليزر النبضي (400,600 and 800mJ). بينت نتائج الخصائص الكهربائية (I-V measurements) لجسيمات الفضة النانوية المرسبة على السليكون المسامي AgNPs/ PSi في حالتي الإضاءة والظلام. بأن جميع العينات تسلك سلوكاً تقويمياً (rectifier) وأن كثافة التيار تزداد مع زيادة طاقة الليزر، والسبب يعود في ذلك إلى زيادة تركيز جسيمات الفضة النانوية التي تؤدي بدورها إلى انخفاض في قيم المقاومية مع زيادة طاقة الليزر حيث تملى المسامات بالجسيمات الفضة النانوية وتؤدي إلى تداخل طبقة الفضة مع طبقة السليكون المسامي. وتؤدي الجسيمات الفضة النانوية دوراً مهماً في تكوين طبقة متجانسة وتعزز الاستقرار البلوري لطبقة السليكون المسامي.

In this paper, porous silicon has been prepared and studied by photochemical etching method using a n-type silicon wafer with electrical resistivity (0.01 -0.02 Ω.cm), orientation (100), 20% HF concentration of hydrofluoric acid, current density of 15 mA / cm2 and etching time at (5min). Silver nanoparticles (AgNPs) have been deposited using laser ablation by drop casting by different laser energy of 400,600 and 800m J. The electrical properties (I-V measurements) of silver nanoparticles on porous silicon have studied in both light and dark conditions. It can be seen the samples behave a rectifier and the current density increases with increase laser energy due to increase in concentration of silver nanoparticles, which lead to a decrease in the values of resistivity as the laser energy increases, this is attributed to the pores are filled with silver nanoparticles and lead to interference between silver and the porous silicon layer. The silver nanoparticles play an important role in forming a homogeneous layer and enhancing the crystal stability of the porous silicon layer.
ISSN: 1812-125X

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.