العنوان بلغة أخرى: |
Study the Effect Adding Back Reflection Layer "BSF" to the Solar Cell "CdTe/CdS:O/Zn2SnO4/FTO" and the Effect on Electrical Properties "I-V" Using Simulation Program SCAPS-1D |
---|---|
المصدر: | مجلة أبحاث كلية التربية الأساسية |
الناشر: | جامعة الموصل - كلية التربية الأساسية |
المؤلف الرئيسي: | خضر، عدنان حسن (مؤلف) |
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): | Khudhur, Adnan Hasan |
مؤلفين آخرين: | رسول، رعد أحمد (م. مشارك) |
المجلد/العدد: | مج18, ع1 |
محكمة: | نعم |
الدولة: |
العراق |
التاريخ الميلادي: |
2022
|
الصفحات: | 1030 - 1050 |
ISSN: |
1992-7452 |
رقم MD: | 1271776 |
نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
اللغة: | العربية |
قواعد المعلومات: | EduSearch |
مواضيع: | |
كلمات المؤلف المفتاحية: |
طبقة الإنعكاس الخلفية | طاقة الفجوة | كفاءة الخلية الشمسية | Back Reflection Layer (BSF) | Gap Energy | Solar Cell Efficiency
|
رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
المستخلص: |
يتضمن هذا البحث دراسة الخصائص الكهربائية باستخدام برنامج المحاكاة SCAPS- ID الذي يعتمد على التحليل العددي في محاكاته للخلايا الشمسية، إذ تم الاعتماد على الخلية الشمسية المكونة من كادميوم تيلورايد (CdTe) كطبقة امتصاص بسمك (5.0 μm 0.05-) والطبقة النافذة CdS: O بسمك (0.025 μm) والطبقة الخازنة (Zn2SnO4) بسمك (0.05 μm) وطبقة أوكسيد التوصيل الشفاف (TCO) والتي هي (FTO) بسمك (0.1 μm)، كما تم إضافة طبقة الانعكاس الخلفية (BSF) ما بين طبقة الاتصال الخلفية المعدنية وطبقة الامتصاص وذلك لزيادة مقدار Voc والكفاءة للخلية الشمسية لكون طبقة الانعكاس الخلفية (BSF) تعمل على تقليل إعادة الاتحاد في جهة الاتصال الخلفية كما تعزز الناقلات من خلال انعكاسها نحو الوصلة الرئيسية، وتم اختيار طبقة Cu2Te كطبقة انعكاس خلفية (BSF) وبسمك (1.0 μm)، وكانت النتائج النهائية التي تم الحصول عليها هي {Voc=0.83V, Jsc=36.90mA/cm2, FF=85.55%, η= 26.33%}، كما تمت دراسة تأثير سمك طبقة الامتصاص ودرجة الحرارة وطاقة الفجوة على منحني الخواص الكهربائية. This research includes study the electrical properties using programming simulation SCAPS-1D, depending upon on numerical analysis from simulation of solar cells, where solar cell consisting of Cadmium Telluride (CdTe) used as absorber layer with thickness (0.05-5.0μm) and the window layer CdS: O with thickness (0.025 μm) and Buffer Layer (Zn2SnO4) with thickness (0.05 μm), (FTO) layer as transparent conductive oxide layer (TCO) with thickness (0.1 μm), and added background reflection layer (BSF) which placed between metal back contact layer and the absorption layer in order to increase the amount of Voc and the efficiency of the solar cell because the background reflection layer (BSF) works to reduce recombination in the back contact, and the carriers are strengthened by reversing it towards the main link. With a thickness of (1.0 μm), the results obtained were {Voc=0.83V, Jsc=36.90mA/cm2, FF=85.55%, η= 26.33%}. The thickness of the absorption layer has been studied and the effect of temperatures and bandgap energies was studied. |
---|---|
ISSN: |
1992-7452 |