ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Effect of Laser Annealing on S...>الوصف

Effect of Laser Annealing on Structural and Thermoelectric Properties of Snse Thin Films

العنوان بلغة أخرى: تأثير التلدين بالليزر على الخصائص التركيبية والكهروحرارية لأغشية SnSe
المصدر: مجلة كلية التربية الأساسية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: ابراهيم، سهى حسين (مؤلف)
المجلد/العدد: ع115
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2022
الصفحات: 1 - 9
ISSN: 8536-2706
رقم MD: 1301742
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
المركبات الكيميائية | التبخير الومضي | الأغشية الإستشعارية | التوصيل الكهربائي
كلمات المؤلف المفتاحية:
تقنية التبخر الومضي | سيلينيد القصدير | الخواص التركيبية | الخواص الكهربائية | الخواص الكهروحرارية | Flash Evaporation Technique | Tin Selenide | Structural Properties | Electrical Properties | And Thermoelectric Properties
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: في هذه الدراسة، تم اعتماد تقنية التبخير الومضي لتحضير أغشية SnSe الرقيقة على ركائز زجاجية محفوظة في درجة حرارة الغرفة. تم دراسة تأثير التلدين بليزر ثاني أكسيد الكربون على الخواص التركيبية والخصائص الكهرو حرارية لأغشية SnSe في التلدين بالقدرة (10 وات) عند (10، 15، 20 دقيقة). تم تحديد أشكال وتركيب البلورات باستخدام مجهر القوة الذرية وحيود الأشعة السينية، كما تم تحديد معامل القدرة، والتوصيل الكهربائي، ومعاملات سيبيك. أظهرت النتائج أن معامل القدرة ومعامل سيبك قد تم تعزيزهما مع زيادة زمن التلدين. عندما يصل وقت التلدين إلى عشرين دقيقة عند 500 كلفن، وجد أن معامل القدرة ومعامل سيبيك للأغشية الرقيقة SnSe يقارب 6.33 μW/cm. K و 650 μV/K، على التوالي.

In this study, flash evaporation technique was adopted to prepare SnSe thin films onto glass substrates kept at room temperature. The effect of CO2 laser annealing on the structural properties and thermoelectric characterizations of SnSe films was investigated in power annealing (10 W) at (10, 15, 20 Min). Morphologies and structures of the crystalline were determined using atomic force microscope and X-ray diffraction .Power factor, electrical conductivity, and the See beck coefficients, were determined. The results demonstrated that the power factor and the See beck coefficient were enhanced as the annealing time increased. When the annealing time reach to twenty minutes at 500 K, the power factor and See beck coefficient of SnSe thin films were found to be about 6.33 μ W/cm. K2 and 650 μ V/K., respectively.
ISSN: 8536-2706

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.