| المستخلص: |
الهدف من البحث هو دراسة تأثير أشعة قاما على خواص الترانزيستور ثنائي القطبية وإيجاد قيم كل من: تيار الباعث، تيار الجامع، تيار القاعدة، كسب التيار ألفا وكسب التيار بيتا قبل وبعد الإشعاع لتوصيلة القاعدة المشتركة والباعث المشترك. تم تحقيق هذا الهدف عن طريق قياس خواص الترانزيستور في معمل الفيزياء بكلية التربية -جامعة أم درمان الإسلامية. ومن ثم تم تعريض الترانزيستور ثنائي القطبية لجرعات إشعاعية من أشعة قاما mGry (200، 400، 600) في مستشفى الذرة بالخرطوم باستخدام ماكينة Co60، وتم قياس هذه الخواص مرة أخرى بعد الإشعاع في معمل الفيزياء بكلية التربية -جامعة أم درمان الإسلامية. بعد التصميم والقياس تحصلنا على نتائج في شكل جداول ومنحنيات لقيم تيار القاعدة، تيار الباعث، تيار الجامع، كسب التيار ألفا وكسب التيار بيتا للترانزيستور ثنائي القطبية لتوصيلة القاعدة المشتركة والباعث المشترك قبل وبعد الإشعاع متوافقة مع النتائج القياسية. من النتائج تلاحظ أن أشعة قاما لها أثر فعال على عنصر الترانزيستور ثنائي القطبية، حيث تؤثر في خواصه الاستاتيكية والديناميكية من خلال تغير قيم كل من: تيار القاعدة، تيار الباعث، تيار الجامع، كسب التيار ألفا كسب التيار بيتا، وعليه يجب عدم تعرض العناصر والدوائر الإلكترونية التي يستخدم فيها الترانزيستور ثنائي القطبية لجرعات من أشعة قاما حتى لا تفقد هذه الدوائر خواصها الإلكترونية.
The objective of the research was to study effect of gamma radiation on the characteristics of bipolar transistor to find the value of current emitter, current collector, current base, current alpha gain and current beta gain before and after radiation for the common base circuit and common emitter circuit. This objective was achieved by measuring the transistor characteristics in Physics Laboratory in Faculty of Education- Omdurman Islamic University. Then the bipolar transistor was subjected to radiated gamma (200,400,600) mGry, in Khartoum Isotopic Hospital using the cobalt 60 machine, after that the parameters were measured in the same laboratory. After the design and measurement, the results were obtained in form of tables and graphs for the values of the current emitter, current collector, current base, current alpha gain and current beta gain in bipolar transistor for common base circuit and common emitter circuit before and after the radiation. The results showed that gamma radiation in base has an effective in fluency on static and dynamic bipolar transistor parameters, through changing the values of current emitter, current collector, current base, current alpha gain and current beta gain. Thus, the elements and electronic circuit in which the bipolar transistors use should not be subjected to gamma radiation in order to not lose their electronic characteristics.
|
