ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Study the Effect of Etching Ti...>الوصف

Study the Effect of Etching Time on the Characteristics of the Porous Silicon that Prepare from N-Type Silicon by Photo Electrochemical Etching Method

العنوان بلغة أخرى: دراسة تأثير زمن النقش على خصائص السيليكون المسامي الذي يتم تحضيره من السيليكون من النوع N بطريقة النقش الكهروكيميائي الضوئي
المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: عباس، إسراء أكرم (مؤلف)
مؤلفين آخرين: هزاع، صلاح قدورى (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع2
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2022
الصفحات: 12 - 20
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 1321428
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
السيليكون المسامي | الكهروكيميائية الضوئية | منطقة الضوء المرئي | الطاقة البصرية
كلمات المؤلف المفتاحية:
Porous Silicon | N-Type | XRD | Photo Electrochemical | Etching Time
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: في هذا البحث تم دراسة وتحضير عينات من السليكون المسامي باستخدام سليكون من النوع (n-type) وباتجاهية (111) باستخدام طريقة التنميش الكهروكيميائي ضوئي بكثافة تيار (20 mA/cm2) وبزمن تنميش مختلف (5, 10, 15, and 20 min). أظهرت نتائج فحوصات الخصائص التركيبية للسليكون المسامي باستخدام فحص (XRD) زيادة عرض منتصف القمة للمنحني مع زيادة زمن التنميش وبالتالي يقل الحجم الحبيبي من (46.99 nm إلى 4.36 nm)، ومن فحص (SEM) أظهرت النتائج أن عمق المسام يزداد مع زيادة زمن التنميش، ومن فحص (AFM) تبين أن معدل الحجم الحبيبي يزداد من (63.55 nm to 75.68 nm) وكذلك خشونة السطح تزداد أيضا من (2.2nm to 17.9nm) مع زيادة زمن التنميش، أما فحص مطياف اللمعان (PL) بين أن طيف السليكون المسامي يقع ضمن منطقة الضوء المرئي وبزيادة زمن التنميش فأن المنحني يزاح نحو الأطوال الموجية القصيرة وبالتالي تزداد فجوة الطاقة البصرية (1.99eV to 2.02eV).

In this paper, samples of porous silicon were studied and prepared using n-type silicon with directionality (111) using photo electrochemical etching method with current density (20 mA/cm2) and with different etching time (5, 10, 15, and 20 min). The results of the structural properties tests of porous silicon using (XRD) showed an increase in the width of the mid-top of the curve with the increase of the etching time and thus the grain size decreases from (46.99 nm to 4.36 nm), from the (SEM) examination, the results showed that the pore depth increases with the increase in the etching time, from the (AFM) examination found that the grain size rate increases from (63.55nm to 75.68nm) and the surface roughness also increases from (2.2nm to 17.9nm) with the increase in the etching time. The porosity is within the visible light region and as the etching time increases, the curve shifts towards short wavelengths, thus increasing the optical energy gap (1.99eV to 2.02eV).
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.