ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > The Effect of Cobalt Dopant on...>مارك

The Effect of Cobalt Dopant on Structural and Optical Properties of Tin Sulfide Thin Films

العنوان بلغة أخرى: تأثير التشويب بالكوبلت على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية كبريتيد القصدير الرقيقة
المصدر: مجلة كلية التربية الأساسية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: عيسى، هناء كاظم (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Essa, Hanaa Kadem
مؤلفين آخرين: حسن، سجي فائز (م. مشارك) , الركابي، عدي علي جيجان (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع116
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2022
الصفحات: 1 - 11
ISSN: 8536-2706
رقم MD: 1324974
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
المواد الكيميائية | كبريتيد القصدير | الإلكترونيات الضوئية | الخلايا الشمسية
كلمات المؤلف المفتاحية:
Tin Sulfide | Cobalt Doping | X-Ray Diffraction | Optical Properties | Band Gap
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 03610nam a22002537a 4500
001 2083732
041 |a eng 
044 |b العراق 
100 |9 442953  |a عيسى، هناء كاظم  |e مؤلف  |g Essa, Hanaa Kadem  
245 |a The Effect of Cobalt Dopant on Structural and Optical Properties of Tin Sulfide Thin Films 
246 |a تأثير التشويب بالكوبلت على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية كبريتيد القصدير الرقيقة 
260 |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية  |c 2022 
300 |a 1 - 11 
336 |a بحوث ومقالات  |b Article 
520 |a تم تحضير أغشية رقيقة من كبريتيد القصدير غير المطعم والمطعم بالكوبلت باستخدام تقنية التحلل الكيميائي الحراري على قواعد زجاجية مسخنة بدرجة حرارة 450 مئوي. اثبت تحليل حيود الأشعة السينية بأن الأغشية المحضرة كانت متعددة التبلور وباتجاه سائد (111). قيمة الحجم الحبيبي لكبريتيد القصدير وكبريتيد القصدير المشوب بالكوبلت بنسبة 3% تبلغ 19.07 نانومتر و21.58 نانومتر على التوالي، بينما قلت المطاوعة المايكروية من من 18.17 إلى 16.06. تبلغ نفاذية الأفلام المحضرة بحدود 85%، والتي تنخفض مع زيادة تركيز التشويب. تنخفض قيمة فجوة النطاق البصرية من 1.57 فولت للأغشية كبريتيد القصدير الرقيقة إلى 1.45 فولت لكبريتيد القصدير المشوب بالكوبلت بنسبة 3%. يزداد معامل الامتصاص (α) مع زيادة تركيز الكوبلت، بينما ينخفض معامل الانقراض ومعامل الانكسار مع تركيز الكوبلت في أغشية كبريتيد القصدير الرقيقة.  |b SnS and SnS: Co thin films wad deposit by chemical spray pyrolysis (CSP) method on 450 ˚C heated glass substrates. XRD study revealed that the films all films are polycrystalline diffraction, and the predominant peak was (111) plane. The grain size of SnS and doped SnS: 3 % Co is 19.07 nm and 21.58 nm, respectively, whereas the strain (%) parameter decreases 18.17 to 16.06. The produced film has a transparency of about 85%, which declines as the doping concentration increases. The optical band gap reduced from 1.57 eV for SnS thin film to 1.45 eV for 3 % Co doped Tin sulfide film. The absorption coefficient (α) increases with Cobalt content, whilst the extinction coefficient and refractive Index have decreased with Cobalt content in Tin sulfide thin films. 
653 |a المواد الكيميائية  |a كبريتيد القصدير  |a الإلكترونيات الضوئية  |a الخلايا الشمسية 
692 |b Tin Sulfide  |b Cobalt Doping  |b X-Ray Diffraction  |b Optical Properties  |b Band Gap 
700 |9 443160  |a حسن، سجي فائز  |e م. مشارك  |g Hassan, Seja Faez  
700 |9 552896  |a الركابي، عدي علي جيجان  |e م. مشارك  |g Al-Rikaby, Oday Ali Chichan 
773 |4 التربية والتعليم  |6 Education & Educational Research  |c 029  |e Journal of the Faculty of Basic Education  |f Maǧallaẗ kulliyyaẗ al-muʻallimīn  |l 116  |m ع116  |o 1156  |s مجلة كلية التربية الأساسية  |v 000  |x 8536-2706 
856 |u 1156-000-116-029.pdf 
930 |d n  |p y  |q n 
995 |a EduSearch 
999 |c 1324974  |d 1324974 

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.