المستخلص: |
تعرض هده الورقة قياس الموصلية الحرارية والانتشارية الحرارية لأشباه الموصلات الزجاجية (x=0. 0.5, 1, 1.5) Se 98 in2-x Snx استخدمت قيم الموصلية الحرارية الانتشارية الحرارية التي تم قياسها للعينات سابقة الذكر في إيجاد الحرارة النوعية لكل وحدة حجم. تظهر النتائج ان زيادة كمية القصدير في العينة تؤدي إلى حدوث زيادة منتظمة في الموصلية الحرارية والانتشارية الحرارية. ويعزى السبب في ذلك إلى استبدال بعض وحدات البناء الأساسية بوحدات بناء جديدة (Se -Sn) والتي تعمل على زيادة طاقة تماسك العينة. حيث تبين ان نوع الرابطة (Se -Sn) تساهمية -أيونية وهو ما يؤيد النتائج التي توصلنا إليها.
Measurements of thermal conductivity (X) and thermal diffiisivity (x) of Se98 In2-xSnx (x = 0, 0.5, 1, 1.5) semiconducting glasses have been presented in this paper. The measured values of both X and x have been used to determine the specific heat per unit volume (pcP) of these glasses and in the composition range of investigation. Both X and x are found to increase systematically with the addition of Sn. This compositional dependence behavior of X and x is attributed to the replacements of the original structural units by Se-Sn units. These new structural units increase the cohesive energy of the system and account for the observed increase in X and x* The type of bond, iono-covalent, which Sn makes with Se as it is incorporated in Se-In-Sn glass, is in support of our results.
|