ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Optical Properties of Undoped and phosphours Doped Amorphous Germanium Thin Fitms

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Al Shaikley, F. Y. M. (Author)
مؤلفين آخرين: Al Fwadi, E. M. (Co-Author)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2005
الصفحات: 195 - 206
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 423340
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم قياس الخواص البصرية لأغشية الجرمانيوم العشوائي النقي والمطعم بالفسفور والمحضرة بدرجة حرارة الفرفة (RT) على قواعد زجاجية استخدام التبخير الوميضي كدالة لدرجة حرارة التلدين من RT إلى K 523. أوضحت النتائج بإن فجوة الطاقة البصرية والثابت B ومعامل الانكسار ومعامل الخمود والجزء الحقيقي والخيالي لثابت العزل الكهربائي للأغشية تقل عتد التطعيم بنسبة 2.5% فسفور، وكما وجد أن زيادة درجة حرارة التلدين من RT إلى K 523 أدت إلى زيادة فجوة الطاقة البصرية والثابت B لكل من أغشية الجرمانيوم العشوائي النقي والمطعم بالفسفور والى نقصان طفيف في معامل الانكسار ومعامل الخمود والجزء الحقيقي والخيالي لثابت العزل الكهربائي عند الطول الموجي 1100nm للغشاء النقي في حين أنها تقل عند التلدين بدرجة حرارة 463k ثم تزداد عند ازدياد درجة حرارة التلدين إلى 523k لغشاء الجرمانيوم المطعم بالفسفور.

Measurement 0t the optical properties of pure and phosphours doped amorphous germanium thin films deposited at room temperature (RT) onto glass substrates using flash evaporation method have been made as a function of annealing temperature from RT to 523K.The results showed that the optical energy gap ,B constant , refractive index, extinction coefficient, real and imaginary parts of the dielectric constants of the films decreased when doping with 2.5%phosphours.Also it is found that the increase of annealing temperature from RT to 523K caused an increase in the optical energy gap and B for pure and phosphours doped amorphous germanium films and slightly decrease in the refractive index, extinction coefficient, the real and imaginary parts of the dielectric constant at wavelength llOOnm for pure films, whereas it decreased after annealing at 473K then increased on further increase in the annealing temperature to 523K for phosphours doped amorphous germanium thin films.

وصف العنصر: أصل المقال منشور باللغة الإنجليزية
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة