ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Capacitance-Voltage and Curren...>الوصف

Capacitance-Voltage and Current-Voltage Characteristics for CdSSe junction

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Ahmed, Ahmed S. (Author)
المجلد/العدد: ع 1
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2012
الصفحات: 723 - 733
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 424668
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الأغشية الرقيقة | التبخير الحراري | الطاقة الكهربائية | الهندسة الكهربائية | القوى الكهربائية
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: حضرت أغشية رقيقة من n-CdSSe بتقنية التبخير الحراري في الفراغ في درجة حرارة الغرفة على أرضية من السيليكون p-Si تحت ضغط6-01 ملي بار.سمك الغشاء بحدود800nm . لقد درس تاثير درجات حرارة التلدين K( 843,892,323) على الخصائص الكھربائية لمفارق CdSSe . قيست خصائص متسعة-فولتية(C-V) وتيار – فولتية(I-V) عند مدى(2-0) فولت. تم حساب جھد البناء (Vbi) عند درجات حرارة تلدين مختلفة و ترددات مختلفة(100Hz, 1kHz and 10kHz)، بينما تم حساب عامل المثالية(ß) من قياسات تيار- فولتية.

n-CdSSe thin films were prepared by thermal evaporation technique at room temperature on p-Si substrate under vacuum of 10-6 mbar . Thickness of the film is 800nm . The effect of the annealing temperature (298,323 and 348) K on the electrical characterizations of CdSSe junctions was studied. The electrical properties are included the capacitance-voltage( C-V) and current- voltage (I-V) measurements in the range (0-2)Volt is measured. From C-V measurements, the built in- voltage (Vbi )is calculated under different annealing temperatures and different frequencies(100Hz, 1kHz and 10kHz), while from IV measurements, the ideality factor (ß )is calculated.
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.