المصدر: | مجلة كلية التربية |
---|---|
الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية |
المؤلف الرئيسي: | Yousif, Ali Ahmed (Author) |
المجلد/العدد: | ع 3 |
محكمة: | نعم |
الدولة: |
العراق |
التاريخ الميلادي: |
2011
|
الصفحات: | 141 - 152 |
ISSN: |
1812-0380 |
رقم MD: | 424992 |
نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
اللغة: | الإنجليزية |
قواعد المعلومات: | EduSearch |
مواضيع: | |
رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
LEADER | 03150nam a22002177a 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | 1074136 | ||
041 | |a eng | ||
044 | |b العراق | ||
100 | |9 51836 |a Yousif, Ali Ahmed |e Author | ||
245 | |a Characterization of photocurrent based on ZnO by AI2O3 doping Nanostructures crown on n-Si by PLD | ||
260 | |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية |c 2011 | ||
300 | |a 141 - 152 | ||
336 | |a بحوث ومقالات | ||
500 | |a مستخلص الدراسة باللغة العربية | ||
520 | |a البحث الحالي أعتمد إلى دراسة أغشية أوكسيد الخارصين والمشوبة بالالومينا وبتشويب مختلف (%. 1wt.%, 3 wt.% and 5 wt)، والمرسبة بتقنية الليزر النبضي على قواعد من السليكون نوع n . من خلال الأجهزة المصنعة تم دراسة الخصائص الكهربائية والبصرية في درجة حرارة °C 400, وضغط الأوكسجين mbar1-10×5, طول موجة الليزر nm 532 , وكثافة طاقة الليزر 0.4. 2J/cm. من خلال بيان الخصائص البصرية والكهربائية والتي اظهرت حديثا˝ الكشف عن مفرق الثنائي الضوئي p-n لأوكسيد الخارصين. أظهرت خصائص طيف الاستجابة الضوئية وتيار- فولتية ((I-V أن الكاشف مرشح واعد للكشف عن الأشعة الفوق البنفسجية. \ تم الحصول على كفاءة تقويم عالية مع استجابة ضوئية عالية تصل 0.25 A/W عند .340 nm هذا يقابل كفاءة كمية % 99.6. تبين النتائج أن أوكسيد الخارصين على تراكيب السليكون سيعمل كبديل جيد لصنع تيار ضوئية بكفاءة عالية. |b The present work aims at studying the of ZnO:Al2O3 films with different doping (1 wt.%, 3 wt.% and 5 wt.%), deposited by pulsed laser deposition technique (PLD) on n-type Si. The electrical and optical properties of processed devices were investigated in temperature of 400°C, oxygen pressure 5×10-1 mbar, irradiation condition, laser wavelength 532 nm and laser fluence energy density 0.4 J/cm2. We report optical and electrical characterizations of newly developed ZnO p-n junction photodiode detectors. The spectral photoresponse and characterization I-V properties show the detector is a promise candidate for UV detection. \ High performance rectifying was obtained, with high photoresponsivety of 0.25 A/W at 340 nm. The corresponding quantum efficiency was 99.6 %. The results show that ZnO on silicon structures will act as good candidates for making highly efficient photocurrent. | ||
653 | |a أوكسيد الخارصين |a تراكيب السليكون |a التراكيب الفيزيائية | ||
773 | |4 التربية والتعليم |6 Education & Educational Research |c 010 |l 003 |m ع 3 |o 1151 |s مجلة كلية التربية |t Journal of Faculty of Education |v 011 |x 1812-0380 | ||
856 | |u 1151-011-003-010.pdf | ||
930 | |d n |p y |q y | ||
995 | |a EduSearch | ||
999 | |c 424992 |d 424992 |