ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Characterization of photocurrent based on ZnO by AI2O3 doping Nanostructures crown on n-Si by PLD

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Yousif, Ali Ahmed (Author)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2011
الصفحات: 141 - 152
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 424992
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 03150nam a22002177a 4500
001 1074136
041 |a eng 
044 |b العراق 
100 |9 51836  |a Yousif, Ali Ahmed  |e Author 
245 |a Characterization of photocurrent based on ZnO by AI2O3 doping Nanostructures crown on n-Si by PLD 
260 |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية  |c 2011 
300 |a 141 - 152 
336 |a بحوث ومقالات 
500 |a مستخلص الدراسة باللغة العربية 
520 |a البحث الحالي أعتمد إلى دراسة أغشية أوكسيد الخارصين والمشوبة بالالومينا وبتشويب مختلف (%. 1wt.%, 3 wt.% and 5 wt)، والمرسبة بتقنية الليزر النبضي على قواعد من السليكون نوع n . من خلال الأجهزة المصنعة تم دراسة الخصائص الكهربائية والبصرية في درجة حرارة °C 400, وضغط الأوكسجين mbar1-10×5, طول موجة الليزر nm 532 , وكثافة طاقة الليزر 0.4. 2J/cm. من خلال بيان الخصائص البصرية والكهربائية والتي اظهرت حديثا˝ الكشف عن مفرق الثنائي الضوئي p-n لأوكسيد الخارصين. أظهرت خصائص طيف الاستجابة الضوئية وتيار- فولتية ((I-V أن الكاشف مرشح واعد للكشف عن الأشعة الفوق البنفسجية. \ تم الحصول على كفاءة تقويم عالية مع استجابة ضوئية عالية تصل 0.25 A/W عند .340 nm هذا يقابل كفاءة كمية % 99.6. تبين النتائج أن أوكسيد الخارصين على تراكيب السليكون سيعمل كبديل جيد لصنع تيار ضوئية بكفاءة عالية.  |b The present work aims at studying the of ZnO:Al2O3 films with different doping (1 wt.%, 3 wt.% and 5 wt.%), deposited by pulsed laser deposition technique (PLD) on n-type Si. The electrical and optical properties of processed devices were investigated in temperature of 400°C, oxygen pressure 5×10-1 mbar, irradiation condition, laser wavelength 532 nm and laser fluence energy density 0.4 J/cm2. We report optical and electrical characterizations of newly developed ZnO p-n junction photodiode detectors. The spectral photoresponse and characterization I-V properties show the detector is a promise candidate for UV detection. \ High performance rectifying was obtained, with high photoresponsivety of 0.25 A/W at 340 nm. The corresponding quantum efficiency was 99.6 %. The results show that ZnO on silicon structures will act as good candidates for making highly efficient photocurrent. 
653 |a أوكسيد الخارصين  |a تراكيب السليكون  |a التراكيب الفيزيائية 
773 |4 التربية والتعليم  |6 Education & Educational Research  |c 010  |l 003  |m ع 3  |o 1151  |s مجلة كلية التربية  |t Journal of Faculty of Education  |v 011  |x 1812-0380 
856 |u 1151-011-003-010.pdf 
930 |d n  |p y  |q y 
995 |a EduSearch 
999 |c 424992  |d 424992