ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Photovoltaic Properties of CdO...>الوصف

Photovoltaic Properties of CdO/Porous Si Heterojunction

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Habubi, Nadir F. (Author)
مؤلفين آخرين: Ali, Abid Allah M. (co-Auth), Ismail, Raid A. (co-Auth)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2012
الصفحات: 11 - 31
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 425232
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
ترسيب أغشية cdo | الاغشية الرقيقة | الأكسدة الحرارية | كاشف المفرق الهجين | الألياف الضوئية | مستخلصات الأبحاث
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم تصنيع كاشف ألمفرق ألهجين نوع (CdO/Porous Si/Si/Al) بطريقة ألأكسدة ألحرارية ألسريعة(Rapid Thermal Oxidation) وذلك من خلال ترسيب أغشية CdO على ألسليكون ألمسامي نوع p- بالطريقة ألمذكورة آنفاً. تم دراسة ألخصائص ألكهربائية وألفولطائية ألضؤئية للكاشف ألمحضر على قواعد سليكونية مسامية. استخدمت عملية ألتنميش ألكهروكيميائية للتحكم بمسامية الشرائح السليكونية من خلال السيطرة على زمن التنميش ضمن المدى الزمني .(600s-2400s) أوضحت ألنتائج أن جميع معلمات ألكواشف ألمصنعة تعتمد بشكل كبير على مقدار زمن ألتنميش (Etching time) للقواعد ألسليكونية ضمن المدى المستخدم. أن أقل عامل مثالية كان 82.1 للكواشف ألمصنعة بكثافة تيار تنميش240mA/cm وزمن تنميش 600s . لقد أظهرت نتائج ألكفاءة ألكمية أن الكواشف ألمصنعة تمتلك منطقتي نضوب الاولى ما بين غشاء CdO والسليكون ألمسامي والثانية ما بين طبقة السليكون المسامي والسليكون البلوري حيث أن القمة الاولى تقع عند الطول الموجي(550nm ) والثانية عند الطول الموجي(700 nm) حيث مقدار الكفاءة الكمية للقمة الاولى كان ( %88) ومقدارها للقمة الثانية كان ( %77). أعلى قيمة للكشفية *D كانت عند الطول الموجي(550nm) . وكان مقدارها 1−cm. Hz1/2 W 1011× 87للكاشف المصنع بكثافة تيار 240mA/cm وزمن تنميش 2400s . أوضحت النتائج أن الكواشف المصنعة تعمل للمنطقة الطيفية (400-700nm). جرى قياس كل من تيار دائرة ألقصر Isc وفولتية دائرة ألفتح Voc ووجد بأن أكبر قيمة لهما كانتا A19 و0.28mV على ألتتالي للكاشف ألمصنع بكثافة تيار تنميش240mA/cm وزمن تنميش 1200s . أجريت دراسة ألخصائص ألكهربائية والفولتائية ألضوئية والتركيبية لهذا ألكاشف بدرجة حرارة ألمختبر وتبين من خلال خواص (تيار-جهد) بأن ألكاشف غير متماثل ألسلوك، وأوجدنا قيمة ألمقاومة ألسطحية RS للكاشف، عامل ألخطية وتم ألحصول على كفاءة كمية بمدى (88%-66%) وبكشفية 2/176x1011 cm. Hz 1-W عند ألطول ألموجي nm) 550).

CdO/porous Si heterojunction photodetector have been fabricated by rapid thermal oxidation (RTO) of Cd on porous has been presented. The electrical and photovoltaic properties of this structure have been studied. The electrochemical etching process has been used as a technique to control the porosity of silicon wafer by controlling the time of etching in the range (600s-2400s). The results revealed that all our detector parameters are highly dependant on etching time. The minimum value of ideality factor was 1.28 for the detectors prepared with etching current density of 40mA/cm2 for 600s. The results of quantum efficiency showed that these detectors had two depletion regions, the first one between CdO film and porous silicon layer, the second between the latter and the crystalline silicon. The first peak of quantum efficiency curve was 77% at wavelength 550nm while the second one was 88% at 700nm. The maximum specific detectivity was 87×1011 cm Hz1/ 2 W −1 at wavelength 550nm for the detectors fabricated with tetching current density 40mA/cm2 and etching time 2400s. All the detectors are working on the spectrum region 400-700nm. The maximum Isc and Voc were 19A, 0.28mV respectively for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 1200s.
وصف العنصر: باللغة الانجليزية
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.