ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > تأثير التلدين على الخصائص التر...>الوصف

تأثير التلدين على الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية أوكسيد الخارصين المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: عباس، بان أكرم (مؤلف)
مؤلفين آخرين: الأنصاري، رامز أحمد (م. مشارك) , حبوبي، نادر فاضل (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2010
الصفحات: 171 - 188
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 425346
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
المركبات الكيميائية | اللدائن الحرارية | التحليل الكيميائي
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تتناول هذه الدراسة الخواص التركيبية والبصرية لأغشية أوكسيد الخارصين ZnO المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري على قواعد زجاجية ساخنة بدرجة حرارة أساس 626K ودراسة أثر التلدين بدرجات حرارية مختلفة (623,673,723 K). فقد أظهرت نتائج حيود الأشعة السينية أن الأغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور من النوع السداسي المتراص، وقد بينت الدراسة وجود عدد من المستويات هي (101) (002) (100) (102) كان المستوى التفضيلي فيها (101) وأن شدتها والحجم الحبيبي يزدادان بزيادة درجة التلدين في حين تتناقص قيمة الإجهاد وكثافة الانخلاعات بزيادة درجة التلدين للأغشية المحضرة كما اشتملت دراسة الخواص البصرية على تسجيل طيفي الامتصاصية والنفاذية للأغشية المحضرة لمدى الأطوال الموجبة (380-900 nm)، ثم حساب فجوة الطاقة للانتقالات الإلكترونية، إذ كانت قيم فجوة الطاقة للانتقال الإلكتروني المباشر المسموح هي (3.09-2.89 eV) وللانتقال المباشر الممنوع هي (2.8-2.39 eV) إذ إن فجوة الطاقة تقل تدريجياً كلما زادت درجة التلدين.

This study deals with the structural and optical properties of zinc oxide (ZnO) thin films prepared on glass substrates preheated to (623K) using chemical spray pyrolysis techniques. The effect of annealing with different temperature (623, 673, 723K) has been studied. XRD analysis reveals that all the prepared thin films were polycrystalline (Hexagonal). Different peaks correspond to (101), (002), (100), (102) plane with a preferred orientation along (101) direction An increase in the intensity and the grain size with increasing the annealing temperature, while strain and density of defects decrease with increasing the annealing temperature of thin films prepared have been detected. The absorbance and transmittance spectra in the wavelength range (380-900 nm), have been recorded, the forbidden energy gap of the electronic transition was calculated, the value of the energy gap in the direct allowed transition was (3.09-2.89 eV), and for the indirect allowed transition was (2.8-2.39 eV) where the energy gap is decreased as the annealing temperature increased.
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.