Theoretical model for caluculating the tempreture rise induced during the process of laser heating of Silicon

يجب تسجيل الدخول أولا

المصدر:	مجلة كلية التربية
الناشر:	الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي:	Al Agealy, Hadi Jabbar Mujbil (Author)
مؤلفين آخرين:	Hasan, Hussain S. (co-Auth) , Hadi, Hasan A. (co-Auth)
المجلد/العدد:	ع 5
محكمة:	نعم
الدولة:	العراق
التاريخ الميلادي:	2011
الصفحات:	36 - 45
ISSN:	1812-0380
رقم MD:	425389
نوع المحتوى:	بحوث ومقالات
اللغة:	الإنجليزية
قواعد المعلومات:	EduSearch
مواضيع:	تسخين السليكون \| الانتشار الحراري \| ليزر النديميوم \| حساب درجة الحرارة
رابط المحتوى:	الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.

المستخلص:	تم دراسة تسخين السليكون بواسطة ليزر النديميوم – ياك ذو النبضات المستمرة كنموذج نظري ، وتم حل معادلات الانتشار الحراري عدديا باستعمال برنامج حسابي لإيجاد درجة الحرارة المرتفع ة الناتجة خلال تلك العملي ة . كم ا افترضنا تغير الخواص الحراري ة لم ادة السليكون مع عملية تسخين الليزر ذو النبضات المستمرة لها ، علما بان نتائجنا أظهرت تطابق الحسابات مع القيمة العملية . CW Nd:YAG Laser heating of silicon are modeled theoretically and the heat diffusion equations solved numerically for estimation of the temperature rise induced during these processes. The thermal properties of the substrate silicon is assumed variations in the case of CW Laser heating . Our results at estimation are agreement with experimental value .
وصف العنصر:	مستخلص الدراسة باللغة العربية
ISSN:	1812-0380