ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Effect of Incident Ray Angle a...>الوصف

Effect of Incident Ray Angle and Optical lens on Solar Cell Performance

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Abd Almunaim, Oday Mazin (Author)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2008
الصفحات: 603 - 610
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 426375
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
مستخلصات الأبحاث | الخلايا الشمسية | القيم الفولتية | الدوائر الكهربائية | الفيزياء
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: أستخدم في هذا البحث خلية شمسيه نوع P-N Junction ) silicon) لقياس قيم الفولتيه والتيار لها ضمن مساحة فاعلة 2cm 224 في زوايا مختلفة 2(0)، وإجراء مقارنة بين قيمة الزاوية (00= ) مع (f00= ) عند استخدام عدسات فرنل بمساحة فاعلة cm 64 خلال درجة حرارة C 26 كمعدل عام خلال أجراء القياسات. وتحديد القيم العظمى للتيار والفولتية (IMAX VMAX) لكل زاوية سقوط ،كذلك حساب عامل المليء(F.F) للخلية الشمسية من خلال تحديد قيم (ls.c, Vo.c) للدائرة الكهربائية المفتوحة والمغلقة للخلية الشمسية. بينت نتائج البحث أن التغير في مقدار عامل المليء بشكل طردي مع lMPP,VMPP) بالاعتماد على قابلية توزيع الشحنة لنظام P-N للسليكون في زيادة ونقصان حاجز الجهد بينهما، في الحصول على تيار مقداره Amp 3.62 بوجود العدسة ضمن مساحة محددة والتي كانت اكبر من مقدار Amp 1.3 للوح الخلية عند زاوية سقوط (0 ٠ ) .

Silicon solar cell (p-n junction type) was used in this research an active area of 224 cm2 with for measuring the voltage and current values were for different angles of incident ray (0). a comparison between (0) and (0F) when a fresnel lenses with an active area of 64 cm2 were used at 26 C with average value during the measurements. The maximum values of voltage and current (Vmax, Imax) for each incident angle was measured and thus the filling factor (F.F), was also measured through determination of Is.c and Vo. c for closed and open of solar cell circuit . In results indicated The filling factor was proportional with (IMpp, V mpp) depending on ability of charge distribution for P-N silicon system with increasing or decreasing depletion layer , obtaining current about 3.62 Amp with lens and this is a large magnitude with respect of 1.3 Amp with incident angles (00)
وصف العنصر: أصل المقال منشور باللغة الإنجليزية
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2025 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.