ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا









الرئيسية > الإثارة والقذف الضوئي لإلكترون...>الوصف

الإثارة والقذف الضوئي لإلكترون مقيد إلى الجدار بواسطة الجهد الصوري

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: خلف، جبار منصور (مؤلف)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2008
الصفحات: 638 - 648
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 426416
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الفيزياء | الالكترونات | معدل الانتقال | القذف الضوئي | الموجة الكهرومغناطيسية | الإثارة الضوئية | طاقة الفوتون | المجال الكهربائي
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: في هذا البحث تم حساب معدل الانتقال للإثارة والقذف الضوئي لإلكترون ابتدائي مقيد بواسطة شحنته الصورية إلى مستوي جدار لانهائي لا يمكن اختراقه من قبل الإلكترون وان الموجة الكهرومغناطيسية تسقط بزاوية عشوائية. اهتمامنا انصب على حالة مجال كهربائي موازي لمحور - Z ولحالات جدار موصل تام وجدار الهليوم السائل لأهمية هذه الدراسات من الناحية الأكاديمية والتطبيقية.

In this paper, transition rates for the photoexcitation and photoejection of an eleetron initially bound by its image charge to a plane infinite wall, impenetrable to the electron , and the electromagnetic wave is incident at an arbitrary angle, has been calculated. The electric field of intrest is parallel to Z-axis for perfect conductive wall and liquid Helium wall.
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2025 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.