ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > تأثير تركيز أيون الزنك على الخ...>الوصف
يجب تسجيل الدخول أولا

تأثير تركيز أيون الزنك على الخصائص التركيبية ، البصرية ، والكهربائية لاغشية znO المحضرة بطريقة الترسيب بالحمام الكمياوي

المصدر: مجلة كلية التربية الأساسية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: Al Shareefi, Abbas F. Sabbar (مؤلف)
المجلد/العدد: ع 66
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2010
الصفحات: 99 - 108
ISSN: 8536-2706
رقم MD: 432289
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
المركبات الكيميائية | التفاعلات الكيميائية | الموصلات الكهربائية | التلدين | مستخلصات الأبحاث
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: في هذا البحث تم مناقشة تأثير تركيز ايون الزنك على اغشية اوكسيد الزنك (ZnO) المحضرة بطريقة الترسيب بالحمام الكمياوي. تم دراسة خصائص اغشية ZnO باستخدام طرق مختلفة مثل حيود الاشعة السينية، قياس المقاومية الكهربائية، الامتصاصية والنفاذية البصرية. اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية ان جميع الاغشية المحضرة تمتلك اتجاهية (002). اظهرت اغشية اوكسيد الزنك انعكاسية حوالي 20%، معدل النفاذية (35%-45%) لمختلف التراكيز قبل التلدين. قيم فجوة الطاقة كانت تقل مع الزيادة في تركيز ايون الزنك. كما تم ملاحظة الزيادة الخطية في المقاومية الكهربائية مع الزيادة في المولارية. الاغشية الملدنة عند K473 اظهرت نقصان في قيم الانعكاسية لكن النفاذية ازدات بعد التلدين وتراوحت قيمها بين (75%-80%) لهذا فان عملية التلدين ادت الى تحويل طور الهدروكسيد الى طور الاوكسيد. كما ان عملية التلدين سببت بقليل فجوة الطاقة البصرية. \

Effect of zinc ion concentration of ZnO thin films, prepared by using chemical bath deposition technique, is discussed. ZnO films were characterized using different techniques such as X-ray diffraction (XRD), electrical resistivity measurement, and optical absorption and transmission. The XRD analysis showed that all the films had a preferred (002) orientation. The ZnO films showed, on average 20% reflectance, the transmittance range between 35% and 45% for different morality before annealing. Optical band gap decreases with increasing zinc ion concentration. Linear increase in resistivity with increasing in molarities was shown. The films were annealed at 473 K and showed decreases in the reflectance of the films, but transmitting increase to 75% - 80%. Therefore by annealing process the hydroxide phase converted to the oxide phase. The annealed samples show a relative decrease in band gap with annealing.
وصف العنصر: ملخص لبحث منشور باللغة الإنجليزية
ISSN: 8536-2706

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.