ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > دراسة تأثير درجة حرارة التلدين...>الوصف

دراسة تأثير درجة حرارة التلدين على الانتقالات الإلكترونية لأغشية Sno2 المشوب بـ Ag2o المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري

المصدر: مجلة كلية التربية الأساسية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: خلف، أمال أحمد (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Kala, Amal A.
المجلد/العدد: ع 49
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2006
الصفحات: 507 - 518
ISSN: 8536-2706
رقم MD: 429920
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الانتقالات الإلكترونية | الفيزياء | الأغشية الرقيقة | طريقة الترسيب الكيميائي الحراري | درجة الحرارة | حرارة التلدين | الإلكترونات | المركبات الكيميائية
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: حضرت أغشية SnO2 وأغشية SnO2 المشوبة بـــ Ag2O الرقيقة وبالنسب، الوزنية (3 %، 5%) باستخدام طريقة الترسيب الكيميائي الحراري على قواعد من زجاج البوروسليكات عند درجة حرارة (ºC 500). تمت دراسة نمط حيود الأشعة السينية للأغشية المحضرة وبدرجات حرارة تلدين ºC (620، 580، 540). إذ أظهرت نتائج حيود الأشعة السينية أن الأغشية ذات تركيب بلوري متعدد التبلور. اشتملت الدراسة تأثير درجة حرارة التلدين على فجوة الطاقة الممنوعة للانتقالات اللالكترونية المباشرة إذ تبين أن زيادة درجة حرارة التلدين تسببت في نقصان فجوة الطاقة الممنوعة.

Thin films of SnO2 doped by silver oxide Ag2O with ratio (3%, 5%) were prepared using chemical spray technique on borosilicate glass bases at temperature about (500ºC). The X-Ray diffraction technique used to examined the prepared thin films and for that annealed at the degree (450,580, 620)C, the X-ray results showed that all prepared films are polycrystalline. The study showed that the annealing processes on the films at different temperature cause decrease in the direct energy gap.
ISSN: 8536-2706

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.