Behaviour of Diodes and Transistors from 77k to 420k

المؤلف الرئيسي:	Felimban, Abd Alrahman Ali (Author)
مؤلفين آخرين:	Sandiford, D. J. (Advisor)
التاريخ الميلادي:	1973
موقع:	مانشستر
الصفحات:	1 - 117
رقم MD:	601636
نوع المحتوى:	رسائل جامعية
اللغة:	الإنجليزية
الدرجة العلمية:	رسالة ماجستير
الجامعة:	University of Manchester
الكلية:	Faculty of Engineering and Physical Sciences
الدولة:	بريطانيا
قواعد المعلومات:	+Dissertations
مواضيع:	الترانزستور \| الثنائيات \| درجة الحرارة \| أشباه الموصلات
رابط المحتوى:	صفحة العنوان المستخلص قائمة المحتويات 24 صفحة الأولى الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.

LEADER	01170nam a22002777a 4500
001	0278216
041		\|a eng
100		\|9 30354 \|a Felimban, Abd Alrahman Ali \|e Author
245		\|a Behaviour of Diodes and Transistors from 77k to 420k
260		\|a مانشستر \|c 1973
300		\|a 1 - 117
336		\|a رسائل جامعية
502		\|b رسالة ماجستير \|c University of Manchester \|f Faculty of Engineering and Physical Sciences \|g بريطانيا \|o 0102
653		\|a الترانزستور \|a الثنائيات \|a درجة الحرارة \|a أشباه الموصلات
700		\|9 46822 \|a Sandiford, D. J. \|e Advisor
856		\|u 9823-013-001-0102-T.pdf \|y صفحة العنوان
856		\|u 9823-013-001-0102-A.pdf \|y المستخلص
856		\|u 9823-013-001-0102-C.pdf \|y قائمة المحتويات
856		\|u 9823-013-001-0102-F.pdf \|y 24 صفحة الأولى
856		\|u 9823-013-001-0102-1.pdf \|y 1 الفصل
856		\|u 9823-013-001-0102-2.pdf \|y 2 الفصل
856		\|u 9823-013-001-0102-3.pdf \|y 3 الفصل
856		\|u 9823-013-001-0102-R.pdf \|y المصادر والمراجع
930		\|d n
995		\|a +Dissertations
999		\|c 601636 \|d 601636