LOW TEMPERATURE ANNEALING BEHAVIOR OF Si IMPLANTED  GaAs

المؤلف الرئيسي:	Babkair, Saeed Salem (Author)
مؤلفين آخرين:	Ling, S. (Advisor)
التاريخ الميلادي:	1982
موقع:	دايتون
الصفحات:	1 - 37
رقم MD:	616228
نوع المحتوى:	رسائل جامعية
اللغة:	الإنجليزية
الدرجة العلمية:	رسالة ماجستير
الجامعة:	Wright State University
الكلية:	The Graduate School
الدولة:	الولايات المتحدة الأمريكية
قواعد المعلومات:	+Dissertations
مواضيع:	نبات الغاليوم \| المخدرات \| درجات الحرارة \| التركيب الكيميائي \| التجارب الكيميائية
رابط المحتوى:	صفحة العنوان المستخلص قائمة المحتويات 24 صفحة الأولى الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.

LEADER	01324nam a22003017a 4500
001	0283967
041		\|a eng
100		\|9 22246 \|a Babkair, Saeed Salem \|e Author
245		\|a LOW TEMPERATURE ANNEALING BEHAVIOR OF Si IMPLANTED GaAs
260		\|a دايتون \|c 1982
300		\|a 1 - 37
336		\|a رسائل جامعية
502		\|b رسالة ماجستير \|c Wright State University \|f The Graduate School \|g الولايات المتحدة الأمريكية \|o 0001
653		\|a نبات الغاليوم \|a المخدرات \|a درجات الحرارة \|a التركيب الكيميائي \|a التجارب الكيميائية
700		\|9 38290 \|a Ling, S. \|e Advisor
856		\|u 9824-326-001-0001-T.pdf \|y صفحة العنوان
856		\|u 9824-326-001-0001-A.pdf \|y المستخلص
856		\|u 9824-326-001-0001-C.pdf \|y قائمة المحتويات
856		\|u 9824-326-001-0001-F.pdf \|y 24 صفحة الأولى
856		\|u 9824-326-001-0001-1.pdf \|y 1 الفصل
856		\|u 9824-326-001-0001-2.pdf \|y 2 الفصل
856		\|u 9824-326-001-0001-3.pdf \|y 3 الفصل
856		\|u 9824-326-001-0001-4.pdf \|y 4 الفصل
856		\|u 9824-326-001-0001-5.pdf \|y 5 الفصل
856		\|u 9824-326-001-0001-R.pdf \|y المصادر والمراجع
930		\|d n
995		\|a +Dissertations
999		\|c 616228 \|d 616228