Characteristic Of Cross Gain Modulation In Quantum-Dot Semiconductor Optical Amplifier By Using Three-Level Rate Equations Model
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية |
| المؤلف الرئيسي: | Warid, Hussein H. (Author) |
| المجلد/العدد: | ع3 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: |
العراق |
| التاريخ الميلادي: |
2013
|
| الصفحات: | 101 - 114 |
| ISSN: |
1812-0380 |
| رقم MD: | 636668 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| المستخلص: |
تم دراسة استجابة المضخم البصري نوع النقاط الكمية كمحول للطول الموجي باستخدام تحوير كسب المنطقة المقطع باستخدام نموذج معادلات المعدل ذو الثلاثة مستويات. تم اشتقاق نموذج تحليلي لاستجابة المضخم يعتمد على الربط المباشر لتغير الحاملات في الحالة الأرضية مع التغير للحاملات في المنطقة الرخوة والمنطقة المتهيجة في الضخ البصري يتحسن عرض الحزمة من 18 GHz إلى 39 GHz مع زيادة الضخ البصري من 0.5 من قدرة التشبع إلى 0.9 من قدرة التشبع ومع زيادة تيار الحقن من 50 mA إلى 200 mA يتحسن عرض الحزمة من 21 GHz إلى 35 GHz في المستويات العالية للضخ البصري وتيار الحقن تكون الميكانيكية المسيطره لتحوير كسب المقطع هي حرق الفجوات الطيفية في الترددات الواطئة ويقل تأثير هذه الميكانيكية في الترددات الواطئة. The cross gain modulation response (XGM) in undoped quantum dots semiconductor optical amplifier (QDs-SOA) is investigated using three-level rate equations model (3LREM). Simple analytical expression is derived which directly connects the (XGM) response to the change of electron occupation probabilities in wetting layer (WL), excited state (ES) and ground state (GS). For high values of the pump level and injection current, the main XGM mechanism is the spectral-hole burning (SHB). Depending on the pump level, the 3-dB bandwidth can be tuned from 18 GHz to 39 GHz when the pump level increases from 0.5 saturation power to 0.9 saturation power. For the bias current, the 3-dB bandwidth can be tuned from 21 GHz to 35 GHz when the current increasing from 50 mA to 200 mA. |
|---|---|
| ISSN: |
1812-0380 |
عناصر مشابهة
-
Theoretical Analysis of Four Wave Mixing Process in Semiconductor Optical Amplifier
بواسطة: الخفاجى، صادق جعفر كاظم منشور: (2012) -
Carrier Heating Effects in Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier
بواسطة: جلود، سلام ثامر منشور: (2015) -
Carrier Heating And Carrier Temperature in Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifie
بواسطة: عباس، حوراء سعدي منشور: (2016) -
Characterization and Optimization of Erbium - Doped Fiber Amplifiers used in Optical Communication Systems
بواسطة: سالم، سليمة منبي علي منشور: (2013) -
Optimizing Broadband Distributed Fiber Raman Amplifier
بواسطة: صادق، سنان عبدالحميد منشور: (2010)
