ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > حساب معامل سيباك لأغشية CdSe ا...>الوصف

حساب معامل سيباك لأغشية CdSe المحضرة بمعدلات ترسيب مختلفة

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: سلطان، مرتضى فائز (مؤلف)
مؤلفين آخرين: أحمد، بيداء محسن (م. مشارك) , نايف، حنان عودة (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع1
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2009
الصفحات: 778 - 783
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 677813
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
القدرة الكهروحرارية | معامل سيباك | الأغشية الرقيقة | سلينايد الكادميوم
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: في هذا البحث تم تحضير أغشية CdSe على قواعد زجاجية بطريقة التبخير الحراري في الفراغ وبسمك (360nm) وترسيب nm/s(0.4, 0.8, 1.2) ودرجات حرارة أساس مختلفة K (300, 373, 423, 473) وحساب القدرة الكهروحرارية لهذه الأغشية (معامل سيباك) وطاقة التنشيط وقد تبين أن جميع الأغشية وبكافة معدلات الترسيب هي من نوع (n- type) وأن طاقة التنشيط تزداد مع زيادة كل من معدل الترسيب وزيادة درجة الحرارة الأساس عدا الأغشية المحضرة بمعدل ترسيب 0.8 nm/s ودرجات أساس 423 K والأغشية المحضرة بمعدل ترسيب ((1.2nm/s ودرجات حرارة أساس (423, 473 K) فقد كان من نوع P- type .

In this paper CdSe thin films have been prepared deposited on glass substrate by thermal evaporation technique at thickness 250nm with different depositions rate (0.4,0.8,1.2)nm/s and substrate temperatures (Ts) (300,373,423,473)K. thermoelectric power were measured to this films (Seebak coefficient) and activation energy were evaluated, the results shows that all films were of n-type conductivity and activation energy increases with depositions rate and substrate temperate films prepared at 0.8nm/s with Ts 423K and 1.2nm/s with Ts (423,473)K, except that they were of p-type conductivity.
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.