ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا









Crystal Growth and Structure Properties of the Ternary Semiconductor Compound CdSnP

المصدر: مجلة كليات التربية
الناشر: جامعة عدن - كليات التربية
المؤلف الرئيسي: Jassim, S. A. J. (Author)
مؤلفين آخرين: Zaidane, K. M. (Co-Author)
المجلد/العدد: ع10
محكمة: نعم
الدولة: اليمن
التاريخ الميلادي: 2009
الشهر: أغسطس
الصفحات: 43 - 52
رقم MD: 680732
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون

عدد مرات التحميل

2

حفظ في:
المستخلص: حضرت بلورة منفردة من المركب شبة الموصل الثلاثي Cdsnp2 بطريقة الانماء من منصهر القصدير (Sn) تتلخص هذه الطريقة بالتبلور الحر لمنصهر مكونات عناصر المركب ذات النقاوة العالية في المنصهر (Sn). تحليلات حيود الاشعة السينية لمسحوق المركب اثبت المركب المحضر له تركيب احادي الطور وبتركيب الجالكوبالرايت والاتجاه المفضل للنمو هو (112) وتم حساب الثوابت الشبكة (a,c) وعامل التشويه (η) في التركيب الرباعي كذلك تم حساب عامل التشاركية (m) وقد اثبتت التحاليل بواسطة فلورة الاشعة السينية (XRF) ان النسب المئوية لمكونات العناصر مطابقة مع النسب المئوية الحقيقية للمركب.

Crystal of ternary semiconductor compound CdSnP2 has been growth in evacuated closed tub system from a tin solution technique from their highly pure elements. The growth crystal are characterized by X-Ray diffraction and their crystalline structure type were identified, X-Ray Fluorescence used to determined the stoichiometric ration, the lattice constant, distortion parameters, bond lengths, bond length mismatch, and other structure parameters have been determined.

عناصر مشابهة