المستخلص: |
تم دراسة عوامل التشكل للاستطارة الالكترونية الطولية (الكولومية) والمستعرضة (المغناطيسية) لبعض الحالات المثارة الكترونيا في فضاء البرم ألنضيري العددي (T=0) والاتجاهي (T=1) ذات التماثل الفردي في النواة مغلقة الغلاف 12C, 16O و 40Ca والتي تتضمن أغلفة المتذبذب التوافقي في إطار نموذج جسيم-فجوة (تقريب تام دانكوف). تم تحويل عناصر مصفوفة المؤثر الهاملتوني إلى مصفوفة قطرية بوجود جهد (M3Y) للحصول على القيم الذاتية والمتجهات الذاتية. قورنت القيم الذاتية مع طاقات التهيج العملية, واستخدمت المتجهات الذاتية في حساب عوامل التشكل الطولية والمغناطيسية المستعرضة. لإعطاء الوصف الأفضل للبيانات العملية المتوفرة لعوامل التشكل فقد أعطيت الحالة الأرضية ترابطا أكثر عن طريق المزج من مدارات أعلى, التي حسنت من حسابات عوامل التشكل للاستطارة الالكترونية. فضلا عن ذلك فقد اخذ تأثير استقطاب اللب بالحسبان وذلك باستخدام المؤثرات الفعالة (الشحنة الفعالة وعواملg الفعالة) والتي تختلف عن قيمها للنيكلونات الحرة. أخيرا, فقد وصفت البيانات التجريبية وصفا جيدا.
|