ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Preparation Thin Films from Sn...>الوصف

Preparation Thin Films from SnS by Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) Method and Studying Optical and Structural Properties

العنوان بلغة أخرى: تحضير أغشية رقيقة لكبريتيد القصدير بطريقة الغطس المتعاقب للطبقات الأيونية ودراسة الخواص البصرية والتركيبة لها
المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: جبر، افراح عبدالحسين (مؤلف)
المجلد/العدد: ع5
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2015
الصفحات: 295 - 302
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 826327
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
التفاعلات الكيميائية | المركبات العضوية | الكيمياء الحرارية | الكيمياء العضوية
كلمات المؤلف المفتاحية:
Thin Films | SnS | SILAR Method | Optical and Structural Properties
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: رسبت أغشية رقيق لكيريتيد القصدير بطريقة الغطس الأيوني المتعاقب عند درجة حرارة الغرفة ثم درست الخواص التركيبية والبصرية للأغشية من خلال حساب حيود الأشعة السينية والبصرية باستخدام مطياف الأشعة الفوق البنفسجية والمرئية. تم إنماء الأغشية على قواعد زجاجية وبسمك0.3 مايكرومتر بطريقة الغطس المتعاقب للطبقات الأيونية باستخدام كبريتات القصدير وكبريتيد الصوديوم وبتراكيز مخلف (0.6،03) مولاري. ظهر التركيب متعدد التبلور للأغشية من خلال فحوصات حيود الأشعة السبنية.

SnS thin films have been deposited by Successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method at room temperature. The structural, of the film are determined by using X-ray diffraction (XRD) Measurement and optical properties Measurement by using UV-Vsi spectrophotometer. The preparation of tin sulfide thin films of 0.3μm thickness were grown on glass substrates by SILAR method using SnSO4 and Na2S at different concentrations 0.3M and 0.6 M. Polycrystalline structure of films are shown by XRD.
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.