ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > تأثير التلدين الحراري على خصائ...>الوصف

تأثير التلدين الحراري على خصائص المفرق الهجين CdS/Si

العنوان بلغة أخرى: Thermal Annealing Effect on CdS/Si/ Heterojunction Properties
المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: محمود، عامر شاكر (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Mahmood, Amer shaker
المجلد/العدد: ع3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2017
الصفحات: 239 - 250
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 884495
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
التلدين الحراري | المواد الكيميائية | الطاقة البصرية
كلمات المؤلف المفتاحية:
كبريتيد الكادميوم | فجوة الطاقة البصرية | النفاذية | الحجم الحبيبي | CdS | Optical Energy Gap | Grian Size | Transmittance
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم تحضير أغشية رقيقة لمادة كبريتيد الكادميوم بنجاح بتقنية البتبخير الحراري بسمك لا يزيد عن 100 نانومتر ودرجة حرارة تلدين (200 و 300) درجة مئوية على قواعد زجاجية إضافة إلى ذلك تم دراسة حيود الأشعة السينية للتحقق من الطبيعة المتعددة التبلور للأغشية المحضرة. أظهرت الخصائص الطوبوغرافية والبصرية سمات الأسطح المحضرة. وعلاوة على ذلك، ولوحظ من خلال تحليل حيود الأشعة السينية XRD و مجهر القوة الذرية" (الصور الطبوغرافية) أن البلورات في الأغشية الرقيقة ذات طبيعة بلورية وتزداد بزيادة درجة حرارة التلدين كما أن حجم الجسيمات زاد في النطاق من 88.4 نانومتر إلى 96.5 نانومتر. وأظهرت نتائج الفحص البصري أن زيادة درجة حرارة التلدين تؤدي إلى نقصان بالنفاذية البصرية وانخفاض فجوة الطاقة البصرية. أشارت خصائص المفرق الهجين أنه يمكن استخدامها في تصنيع الخلايا الشمسية.

Cadmium sulphide (CdS) nanoparticles have been successfully synthesized by a Thermal Evaporation Technique . CdS thin films having around 100 nm thickness annelid at (200 and 300) oC which deposited on glass substrates. The study of X-ray diffraction investigated all the exhibit polycrystalline nature .Thin film’s internal structure topographical and optical properties. Furthermore, the crystallization directions of CdS (002) can be clearly observed through an X-ray diffraction analysis XRD, Atomic Force Microscope AFM (topographic image) showed that the surface Characteristics , thin films crystals grew with increases in either the annealing temperature, also , the grain size increased in range from 88.4 nm to 96.5 nm. The optical properties concerning the absorption and transmission spectra were studies for prepared thin films. UV-Vis measurement spectra showed that Vis transmittance intensity decreased with increases annealing temperature, the energy band gap decreased from (2.2 to 2.4) eV when the annealing temperature. Heterojunction characterization showed that the films are semiconducting and can be used in solar cell devices.
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.