ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







An Analytical Approach for Electronic Properties of Semiconductors Quantum Well Wires

العنوان المترجم: An Analytical Approach for Electronic Properties of Semiconductors Quantum Well Wires
المصدر: مجلة العلوم الهندسية وتكنولوجيا المعلومات
الناشر: المركز القومي للبحوث
المؤلف الرئيسي: Nassar, Ahmad Salim Hussain (Author)
المجلد/العدد: مج2, ع1
محكمة: نعم
الدولة: فلسطين
التاريخ الميلادي: 2018
الشهر: مارس
الصفحات: 22 - 37
DOI: 10.26389/AJSRP.A181217
ISSN: 2522-3321
رقم MD: 940477
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: HumanIndex
مواضيع:
كلمات المؤلف المفتاحية:
الخواص الإلكترونية | الشوائب الضحلة | أشباه الموصلات | البئر الكمومى لسلك | أنظمة أحادية البعد | Electronic Properties | Shallow Impurity | Semiconductors | Quantum Well Wires | One Dimensional Systems | One Dimensional Systems
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون

عدد مرات التحميل

4

حفظ في:
LEADER 03351nam a22002537a 4500
001 1686517
024 |3 10.26389/AJSRP.A181217 
041 |a eng 
044 |b فلسطين 
100 |9 505185  |a Nassar, Ahmad Salim Hussain  |e Author 
242 |a An Analytical Approach for Electronic Properties of Semiconductors Quantum Well Wires 
245 |a An Analytical Approach for Electronic Properties of Semiconductors Quantum Well Wires 
260 |b المركز القومي للبحوث  |c 2018  |g مارس 
300 |a 22 - 37 
336 |a بحوث ومقالات  |b Article 
520 |a هذه دراسة نظرية للخصائص الإلكترونية لنظم شبه موصلة ذات بعد واحد تقريبا. استخدم نهج تحليلي متناسق تقريبا لحساب نطاقات الطاقة الفرعية والكثافة الإلكترونية. تم استعمال إلكترون -شوائب وإلكترون -إلكترون كجهد تفاعلي لنموذج نطاقي الطاقة، لسلك أسطواني كمي. وكانت النتائج التحليلية للإلكترون -شوائب وإلكترون -إلكترون للجهد التفاعلي تتوافق مع نتائج حسابات النموذج. باستعمال النتائج التحليلية تم مناقشة مجالات مختلفة للخواص الإلكترونية للأسلاك شبه الموصلة الكمومية مثل طاقة الربط للشوائب الضحلة، فصل الطيف الفرعي الداخلي، طيف الطاقة المثارة، وسرعة انتقال الإلكترون. 
520 |b In this work a theoretical investigation of the electronic properties of quasi-one dimensional semiconductor systems is presented. An approximately analytical self-consistent approach is used for the calculation of the energy subbands and electron density. The electron – impurity and electron – electron interaction potentials are calculated for a two subband model, for a cylindrical quantum wire. The analytical results for the electron –impurity and electron-electron interaction potentials are in good agreement with the results of the model calculations. With my analytical results I discuss various aspects of the electronic properties of semiconductors quantum well wires, such as the binding energy of shallow impurity, screening, intrasubband Plasmon, and the mobility. 
653 |a الخواص الإلكترونية  |a الشوائب الضحلة  |a أشباه الموصلات  |a الأسلاك شبه الموصلة الكمومية 
692 |a الخواص الإلكترونية  |a الشوائب الضحلة  |a أشباه الموصلات  |a البئر الكمومى لسلك  |a أنظمة أحادية البعد  |b Electronic Properties  |b Shallow Impurity  |b Semiconductors  |b Quantum Well Wires  |b One Dimensional Systems  |b One Dimensional Systems 
773 |4 العلوم الإنسانية ، متعددة التخصصات  |6 Humanities, Multidisciplinary  |c 002  |f Mağallaẗ al-ʿulūm al-handasiyyaẗ wa-al-tiknūlūğiyā al-maʿlūmāt  |l 001  |m مج2, ع1  |o 1746  |s مجلة العلوم الهندسية وتكنولوجيا المعلومات  |t Journal of Engineering Sciences and Information Technology  |v 002  |x 2522-3321 
856 |u 1746-002-001-002.pdf 
930 |d y  |p y  |q y 
995 |a HumanIndex 
999 |c 940477  |d 940477 

عناصر مشابهة