ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







مساهمة في دراسة توضع الجرافين بتقنية الترسيب الكيميائي للبخار (CVD)

المؤلف الرئيسي: بزيو، حليمة السعدية (مؤلف)
مؤلفين آخرين: خلفاوي، فتحي (مشرف) , بابا حني، أم الخير (مشرف)
التاريخ الميلادي: 2015
موقع: ورقلة
الصفحات: 1 - 40
رقم MD: 943680
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: العربية
الدرجة العلمية: رسالة ماجستير
الجامعة: جامعة قاصدي مرباح - ورقلة
الكلية: كلية الرياضيات وعلوم المادة
الدولة: الجزائر
قواعد المعلومات: Dissertations
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: الجرافين من المواد الحديثة الاكتشاف وهو يمتلك خصائص استثنائية جعلته محط اهتمام الباحثين والصناعيين. من بين الطرق المستعملة في إنتاج الجرافين تقنية CVD. نهتم في دراستنا هذه بإنتاج الجرافين بتقنية CVD المحفزة بالبلازما PECVD، انطلاقا من الخليط الغازي CH4 /H2 إن التفاعلات الكيميائية قرب سطح الركيزة (النحاس) تؤدي إلى نمو الطبقة الرقيقة للجرافين. يهتم عملنا هذا بتحديد تراكيز الأفراد الكيميائية CH, CH2, CH3 المساهمة في نمو الجرافين وحساب معدلات التغطية للركيزة (النحاس) اعتمدنا في دراستنا على معادلة الانتشار ومعادلة لونجميير. للحل العددي لمعادلة الانتشار استعملنا طريقة الفروق المنتهية وبرمجة الحل بالطريقة التكرارية غوص- صايدل لحساب تراكيز الجذور المساهمة في نمو الجرافين. وقمنا بحساب معدلات التغطية من معادلة لونجميير. إن النتائج المتحصل عليها أبدت توافقا مع نتائج أعمال أخرى.