ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







يجب تسجيل الدخول أولا

دراسة لنصف الناقل الجيرمانيوم المطعم للاستعمل في المكونات الالكترونية الضوئية

العنوان بلغة أخرى: Etude du semi-conducteur Germanium dope aI'usage des composants optoelectroniques
المؤلف الرئيسي: سويقات، عبدالقادر (مؤلف)
مؤلفين آخرين: باحمد، داودي (مشرف) , عيادي، كمال الدين (مشرف)
التاريخ الميلادي: 2016
موقع: ورقلة
الصفحات: 1 - 88
رقم MD: 944361
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: العربية
الدرجة العلمية: رسالة دكتوراه
الجامعة: جامعة قاصدي مرباح - ورقلة
الكلية: كلية الرياضيات وعلوم المادة
الدولة: الجزائر
قواعد المعلومات: Dissertations
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون

عدد مرات التحميل

7

حفظ في:
المستخلص: برزلجيرمانيوم مؤخرا كمرشح وأعد لتعويض السيليسيوم في المكونات الإلكترونية المتقدمة وتطبيقاتها الضوئية. معرفة معالم انتشار المطعمات في هذا النصف ناقل تعد ضرورية لصناعة دارات إلكترونية منه عالية الأداء. هذه الدراسة حددت كيفية ارتباط نسبة المساهمات بدرجة الحرارة للانتشار المنفرد لكل من الفسفور P، الأنتيموان Sb والأرسونيك As عبر الفجوات الثنائية والثلاثية المشحونة سلبا في الجيرمانيوم مع طاقات التنشيط، للفسفور 3.09 eV، 2.4 eV على الترتيب وللأنتيموان 2.661 eV،2.570 eV على الترتيب و 2.703 eV، 2.068 eV على الترتيب بالنسبة للأرسونيك. في هذا العمل قمنا بنمذجة الانتشار وفق الآلية الفجوية والحل العددي لقانون فيك الثاني آخذين بعين الاعتبار ارتباط معامل الانتشار الفعال بنسبة المساهمات، ومحاكاة منحنيات انتشار الفسفور والأنتيموان والأرسونيك التجريبية في الجيرمانيوم.