ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Simulation of HIT Solar Cells with p-Type c-Si Wafer

العنوان بلغة أخرى: محاكاة الخلايا الشمسية (الوصلة الثنائية بمفترق مغاير ذات الطبقة الداخلية الرفيعة) اعتمادا على رقاقة السليكون البلوري المطعم بالفجوات
المؤلف الرئيسي: الرقيشية، ايمان بنت ناصر بن علي (مؤلف)
مؤلفين آخرين: Sellai, Azzouz (Advisor), Souier, Mohammed Tewfik (Advisor)
التاريخ الميلادي: 2018
موقع: مسقط
الصفحات: 1 - 73
رقم MD: 965732
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: الإنجليزية
الدرجة العلمية: رسالة ماجستير
الجامعة: جامعة السلطان قابوس
الكلية: كلية العلوم
الدولة: عمان
قواعد المعلومات: Dissertations
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون

عدد مرات التحميل

18

حفظ في:
المستخلص: لقد اجتذب نوع الخلايا الشمسية المعروف باسم الوصلة الثنائية بمفترق مغاير ذات الطبقة الداخلية الرفيعة (HIT) اهتماما كبيرا بسبب قدرتها على تحقيق كفاءة تحويل عالية تفوق طاقة الخلايا الشمسية البلورية. تعتمد هذه التقنية على تصميم من شركة سانيو الذي يتكون من مفترق مغاير ناتج عن ترسيب طبقة سليكون غير متبلور هایدروجينية مطعمة بالفجوات (a- Si:H(p)) على رقاقة سليكون بلوري مطعم بالإلكترونات c-Si (n). بالإضافة إلى ذلك، فإن هاتين الطبقتين عادة ما تكون محصورة بسليكون غير بلوري ذاتي رقيق a-Si: H(i)، يعمل كطبقة تخميل. حققت تقنية سانيو كفاءة تحويل الخلية في السجل العالمي بنسبة 26.7% لحجم خلية عملي يبلغ 180 سم2 (على مقربة من الحد النظري البالغ 29.4%). على الرغم من أن العديد من المجموعات البحثية والصناعية الشهيرة في العالم تقوم أيضا بعمل جيد على هذا النوع من الخلايا الشمسية HIT لتحقيق كفاءة تحويل تزيد عن 20%، إلا أن أيا منها لم يتجاوز أو يقترب من مستوي سانيو. ويرجع ذلك جزئيا إلى التقنيات الناجحة لشركة سانيو لتصنيع طبقات رقيقة عالية الجودة من السليكون الغير متبلور الهيدوجيني المطعم. يهدف هذا المشروع البحثي إلى محاكاة، باستخدام برنامج AFORS-HET، تصميما جديدا للخلايا الشمسية HIT استنادا إلى رقاقة c-Si (p) السيليكون المتبلورة، ومقارنتها ببنية شركة سانيو. كما ستلقي أعمال المحاكاة الضوء على آلية إعادة التركيب ضمن الخلايا الشمسية HIT، خاصة إعادة التركيب السطحي في طبقة السيليكون غير المتبلورة المنبعثة.

عناصر مشابهة