المؤلف الرئيسي: | Al-Hammami, Mahfoudha Zahir Nasser (Author) |
---|---|
مؤلفين آخرين: | Al Harthi, Salim H. (Advisor) , Elzain, Mohamed E. (Advisor) , Sellai, Azzouz (Advisor) |
التاريخ الميلادي: |
2015
|
موقع: | مسقط |
الصفحات: | 1 - 55 |
رقم MD: | 965986 |
نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
اللغة: | الإنجليزية |
الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
الجامعة: | جامعة السلطان قابوس |
الكلية: | كلية العلوم |
الدولة: | عمان |
قواعد المعلومات: | Dissertations |
مواضيع: | |
رابط المحتوى: |
المستخلص: |
في هذا البحث تمت دراسة وتحليل الخصائص الإلكترونية وتغيرات السطح المتكونة على سطح السيليكون بعد إشعاعها بأيونات الأرغون ذات الطاقة المنخفضة. لقد لاحظنا أنه عند استخدام تقنية UPS بزوايا مختلفة على سطح السيليكون غير المعرض للإشعاع أن هناك ازدياد في مستويات كمية الإلكترونات التي تم رصدها عند السطح وعند المستوى الهجين sp3 بخلاف تلك التي تم رصدها عند المستويات المتوسطة والثانوية للإلكترونات. لقد تم ملاحظة العديد من التغيرات على الخصائص التركيبية على سطح بعد إشعاعها بأيونات الأرغون مثل تموجات السطح وتكون جزيئات النانو، بالإضافة إلى التغير في شواغر الروابط لدى جزيئات النانو التي لوحظ بأنها تتأثر زاوية الإشعاع بمعامل متوسط يبلغ 2.006. كما تم أيضا في هذا البحث تحليل الارتباط النوعي للخصائص الإلكترونية عند المستويات المتوسطة بتكون تموجات السطح وتكون الجزيئات النانوية. |
---|