Magnetic Nanowires for High Density and Low Power Information Storage
| العنوان بلغة أخرى: |
السلك المغناطيسي النانومتري لسعة عالية وطاقة منخفضة في تخزين المعلومات |
|---|---|
| المؤلف الرئيسي: | البحري، محمد بن ابراهيم (مؤلف) |
| مؤلفين آخرين: | Sbiaa, Rachid (Advisor) |
| التاريخ الميلادي: |
2018
|
| موقع: | مسقط |
| الصفحات: | 1 - 106 |
| رقم MD: | 966049 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | الإنجليزية |
| الدرجة العلمية: | رسالة دكتوراه |
| الجامعة: | جامعة السلطان قابوس |
| الكلية: | كلية العلوم |
| الدولة: | عمان |
| قواعد المعلومات: | Dissertations |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
عدد مرات التحميل
7
| المستخلص: |
وقد تم دراسة الأجهزة المستندة إلى جدار المجال المغناطيسي بشكل مكثف مؤخرا لكل من البحوث الأساسية والتطبيقات التكنولوجية. فمن المهم أن نفهم السيطرة على انعكاس المغنطة وتعلق الجدران المجال المغناطيسي في أسلاك المغناطيسية بحجم النانومتر. وينصب التركيز الرئيسي لهذا العمل على صناعة سلك بحجم النانو يحتوي على منطقة على شكل سلم في منتصفه لإيقاف حركة الجدار المغناطيسي عند الموضع المطلوب. ولهذا السلك مزايا عديدة منها بساطة تصنيعه باستخدام تقنية الكترون بيم ليتوكرافي وأيضا من الممكن زيادة قوة إيقاف الجدار المغناطيسي على عمق أو طول السلم في نفس الوقت وعلاوة على ذلك فإن هذا السلك يفتح الباب لزيادة سعة التخزين للخلية الواحدة لأكثر من بت. دراسة إيجاد طريقة جديدة لإيقاف الجدار المغناطيسي أثناء حركته في سلك النانومتر تمت التحقق منها باستخدام برنامج المحاكاة (OOMMF) وباستخدام التجريب العملي. باستخدام المحاكاة لبرنامج OOMMF تم تصميم سلك النانوميتر بسلم واحد في منتصفه وتحريك الجدار المغناطيسي باستخدام تيار كهربائي موحد الاتجاه حيث وجد أن توقف الجدار المغناطيسي عن حركته عند السلم يعتمد على عمق وطول السلم فهو يزيد بزيادة عمق السلم ونقصان طوله كذلك حجز الجدار المغناطيسي عند السلم يزيد بزيادة قيمة بعض الخصائص المغناطيسية مثل anisotropyو magnetization saturation. كذلك تم اختبار إمكانية الحصول على عدة بتات في الخلية الواحدة، حيث تم تصميم سلك مغناطيسي نانومتري يحتوي على أربع سلمات وتم الحصول على ثلاثة بتات لزيادة سعة التخزين. عمليا تم تصنيع سلك مغناطيسي نانومتري بطريقة إلكتروني بيم ليتوجرفي واختبار قوة إيقاف السلم للجدار المغناطيسي وقد تم استخدام عدة تقنيات لتحقيق ذلك منها تقنية (SEM) للتحقق من شكل ونعومة حافة السلم وكذلك تم استخدام المجهر الإلكتروني الضوئي (MOKE) لقياس قيمة المجال المغناطيسي اللازم لحركة جدار المجال خلال السلم بالإضافة إلى استخدام ميكروسكوب القوة المغناطيسية (MFM) للتأكد من أن الجدار المغناطيسي يتوقف عند السلم. وكذلك تعطي هذه التقنية مدى ثبات أو توقف الجدار المغناطيسي عند السلم ولا يتحرك بعيدا عنها أثناء الكشف عنه. ولصعوبة ملاحظة نوع الجدار المغناطيسي وحركته عند السلم بهذه التقنيات المستخدمة في التجارب العملية. تم عمل محاكاه باستخدام برنامج (OOMMF) وبنفس أبعاد السلك المستخدم في الجزء العملي وكذلك نفس خصائص المادة المستخدمة. وقد تم الحصول على جدار مغناطيسي من نوع vortex وكذلك وجد أن تغير نوع الجدار في منطقة السلم يعتمد على عرض المنطقة نفسها. |
|---|
عناصر مشابهة
-
Magnetic Nanowires for High Information Storage
بواسطة: Al Risi, Sulaiman Mohammed Saif منشور: (2021) -
Frequency Selection for Low Power Magnetic Memory Using A Spin Torque Oscillator
بواسطة: عنايت الرحمن، نفيسة منشور: (2018) -
Stability and Controllability of Skyrmions in Magnetic Nanowires
بواسطة: الناعبية، سراب بنت حمود بن علي منشور: (2022) -
Domain Wall Dynamics in Ferromagnetic Nanowires
بواسطة: الراشدي، بدرية أحمد سيف منشور: (2016) -
The Influence of Crystal Field And Induced Magnetic Moments on Current and Magnetization Densities
بواسطة: Mohammed, Amani Salah منشور: (1990)
