ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Design and Construction of A MOKE Instrument for Static and Dynamic Studies of Magnetic Multilayers

المؤلف الرئيسي: Al-Abri, Ruqaiya Khalfan Mubarak (Author)
مؤلفين آخرين: Carboni, Carlo (Advisor)
التاريخ الميلادي: 2016
موقع: مسقط
الصفحات: 1 - 53
رقم MD: 966424
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: الإنجليزية
الدرجة العلمية: رسالة ماجستير
الجامعة: جامعة السلطان قابوس
الكلية: كلية العلوم
الدولة: عمان
قواعد المعلومات: Dissertations
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون

عدد مرات التحميل

1

حفظ في:
المستخلص: تعتبر ظاهرة كير المغناطيسوضوئية -والتي تعرف اختصارا ب (MOKE) -طريقة متفردة لدراسة التمغنط على أسطح المواد. وتستند هذه الظاهرة على حقيقة أن التمغنط يجعل التفاعل بين إلكترونات المادة والمجال الكهربائي للشعاع الضوئي الساقط غير متماثل اتجاهيا، ونتيجة لذلك نجد أنه عندما ينعكس شعاع ضوئي مستقطب خطيا من سطح ممغنط فإن الشعاع الضوئي المنعكس يستقطب إهليجيا بحيث يدور المحور الطويل عن اتجاه الاستقطاب بالنسبة للشعاع الساقط. لهذه الظاهرة العديد من التطبيقات التقنية كما هو الحال في الأقراص الصلبة في أجهزة تخزين البيانات. ‏في هذه الدراسة نناقش بالتفصيل الجهاز المعتمد على ظاهرة كير المغناطيسوضووئية (MOKE) والذي صممناه وقمنا ببنائه في جامعة السلطان قابوس مستخدمين - وبصورة أساسية - أجزاءا من أجهزة فائضة عن الحاجة. المعدات والبرمجيات الحاسوبية المستخدمة للحصول على البيانات في هذا الجهاز؛ تم تصميمها وبناؤها بالكامل أثناء هذه الدراسة. تم التأكد من أن الجهاز يعمل بصورة تمكن من الحصول على حلقات التخلفية المغناطيسية، إضافة إلى دراسة ديناميكية الانقلاب المغناطيسي. أضيفت وحدة تسخين وتبريد للجهاز؛ للتمكن من دراسة تأثير تغير درجات الحرارة على الخواص المغناطيسية. ‏تم استخدام الجهاز لدراسة تغير منحنى التخلفية المغناطيسية لمتعددة الطبقات مكونة من (Co/Ni)N مع عدد الطبقات ‎N‏ . أظهرت النتائج أنه بالنسبة للعينات ذوات قيم N المساوية لــ 4 و6 و8 فإن نسبة التمغنط المتبقي (MR) لتمغنط التشبع (MS) – أي MR/MS - تساوي واحد. لوحظ أنه بالنسبة للعينة (Co/Ni)4؛ فإن انقلاب التمغنط يكون سريعا عند نقطة تبديل المجال، بينما يكون انقلاب التمغنط تدريجيا في العيينتين الأخريتين (N=6.8)‏ أيضا لوحظ أن زيادة عدد الطبقات تؤدي إلى نقصان نقطة تبديل المجال المغناطيسي.

عناصر مشابهة