LEADER |
02544nam a22002297a 4500 |
001 |
1709932 |
041 |
|
|
|a ara
|
044 |
|
|
|b ليبيا
|
100 |
|
|
|9 521191
|a هنيدي، سعاد
|e مؤلف
|
245 |
|
|
|a دراسة التركيب البلوري لأغشية رقيقة من أكسيد الزنك المرسبة على ركيزة زجاجية بطريقة الترسيب الكيميائي باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية
|
260 |
|
|
|b جامعة المرقب - كلية التربية بالخمس
|c 2019
|g يناير
|
300 |
|
|
|a 26 - 35
|
336 |
|
|
|a بحوث ومقالات
|b Article
|
520 |
|
|
|a تضمنت هذه الدراسة تحضير أغشية أكسيد الزنك ZnO nanorods الرقيقة بتقنية الترسيب الكيميائي الحراري Chemical Deposition Technique على قواعد زجاجية (Aluminum Induced Texture, AIT) ذات سمك 600nm وتطوير طرق جديدة لنمو النانو (ZnO) عالي الجودة والنوعية خلال مستوى واطئ الكلفة تمت دراسة الخصائص التركيبية للأغشية باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية (XRD) حيث بينت نتائج فحوصات الأشعة السينية أن جميع الأغشية المحضرة لها تركيب متعدد التبلور Polycrystalline ومن نوع السداسي المتراص Hexagonal Wurtzite، وتظهر المستوى (002) أعلى قيمة لشدة الانعكاسية، في حين كانت قيم الحجم الحبيبي تزداد مع زيادة سمك الأغشية وتقل مع زيادة قيم الزوايا، أي بمعنى أن الحجم الحبيبي يتناسب عكسيا مع عرض المنحنى عند منتصف القمم الموضحة في الأشكال أدناه، وذلك للحصول على أغشية ذو مواصفات جيدة وتحسين صفاتها في منطقة الطيف المرئي لما تتمتع به هذه المنطقة من تطبيقات عملية في تصنيع الخلايا الشمسية.
|
653 |
|
|
|a التجارب العملية
|a الترسيب الكيميائي
|a أكسيد الزنك
|a الأشعة السينية
|
700 |
|
|
|9 521193
|a العريفي، ربيعة
|e م. مشارك
|
700 |
|
|
|9 521192
|a أبوراس، حميدة
|e م. مشارك
|
773 |
|
|
|c 002
|l 014
|m ع14
|o 1568
|s مجلة التربوي
|t Educational Journal
|v 000
|x 2011-421X
|
856 |
|
|
|u 1568-000-014-002.pdf
|
930 |
|
|
|d y
|p y
|
995 |
|
|
|a EduSearch
|
999 |
|
|
|c 966867
|d 966867
|