| LEADER |
04038nam a2200313 4500 |
| 001 |
1510123 |
| 041 |
|
|
|a eng
|
| 100 |
|
|
|9 544916
|a جبار، زهراء على
|e مؤلف
|
| 245 |
|
|
|a Effect of Al Doping Concentration on Structural and Optical Properties of ZnO thin Films
|
| 246 |
|
|
|a تأثير تركيز التشويب بالألمنيوم على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية وكسيد الزنك الرقيقة
|
| 260 |
|
|
|a الناصرية
|c 2016
|m 1437
|
| 300 |
|
|
|a 1 - 54
|
| 336 |
|
|
|a رسائل جامعية
|
| 502 |
|
|
|b رسالة ماجستير
|c جامعة ذي قار
|f كلية العلوم
|g العراق
|o 0148
|
| 520 |
|
|
|a طريقة الطلاء البرمي (السائل _ الجيلاتين) استخدمت بنجاح في تحضير أغشية رقيقة من مادة أوكسيد الزنك (ZnO) المشوبة بالألمنيوم (Al). اعتمادا على تحليل حيود الأشعة السينية XRD تم تحضير الطور النقي لأغشية أوكسيد الزنك الرقيقة ذات التركيب السداسي متعدد البلورات مع معلمات شبيكة a=3.2568A وc=5.2108A. في البدء تم ترسيب أغشية أوكسيد الزنك الرقيقة رسبت على أرضيات أساس من الزجاج باستخدام طريقة الطلاء البرمي مع محلول من مادة اسيتات الزنك كمادة مذابة في الميثانول واستخدام أحادي أمين إيثانول (MEA) كمثبت لضمان فصل الخليط وعدم عودته إلى التبلور مرة أخرى. كانت نسبة التركيز بين اسيتات الزنك وMEA، 1:1، 1:2، 1:3، 1:4 وتم اعتبار أن أفضل نسبة هي 1:4 لهذه النسبة تم دراسة تأثير عملية التشويب بمادة الألمنيوم بنسب wt 1%، 2%، 3%، 4%، 5% من الزنك. النتائج لم تبين ملاحظة أي تغيير في طور التركيب مع التشويب بالألمنيوم بالإضافة إلى أن معلمات الشبكية a وb قلت مع زيادة تركيز الألمنيوم. الحجم البلوري، ثابت الشبيكة، المطاوعة قلت مع زيادة تركيز الألمنيوم والذي يعزى إلى تعويضه أيونات Al في مواقع Zn في شبكية ZnO والذي أكد باستخدام نتائج مطياف تشتت الأشعة السينية (EDX). نتائج المجهر الإلكتروني الماسح (SEM) بينت أن التركيب يصبح بأشكال نانوية (أسلاك نانوية) بتركيز أعلى من 3% ويضمحل أكثر فأكثر وصولا إلى 5%. هذا يشير أن تشويب الألمنيوم يؤثر على سطح الغشاء. حزمة الطاقة في ZnO وev 3.37 وهي انتقال مباشر حزمة الحزمة ويقل لـ ev3.25 مع زيادة تركيز Al، هذه الخصائص للتشويب في Al تجعل غشاء ZnO مادة واعدة ومهمة في استخدامها في أغلب تطبيقات الأجهزة الإلكتروبصرية مثل الخلايا الشمسية والمتحسسات وغيرها.
|
| 653 |
|
|
|a اوكسسيد الزنك
|a مادة الألمنيوم
|a الأشعة السينية
|
| 700 |
|
|
|9 474534
|a سلمان، عماد عبدالرزاق
|g Salman, Emad A.
|e مشرف
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0148-T.pdf
|y صفحة العنوان
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0148-A.pdf
|y المستخلص
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0148-C.pdf
|y قائمة المحتويات
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0148-F.pdf
|y 24 صفحة الأولى
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0148-1.pdf
|y 1 الفصل
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0148-2.pdf
|y 2 الفصل
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0148-3.pdf
|y 3 الفصل
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0148-4.pdf
|y 4 الفصل
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0148-R.pdf
|y المصادر والمراجع
|
| 930 |
|
|
|d y
|
| 995 |
|
|
|a Dissertations
|
| 999 |
|
|
|c 1009189
|d 1009189
|
